我们的电路板是基于 PMP5818 ACF 设计设计的。 可以正常工作、但 EMI 问题在30 -50 MHz 范围内。 我已经附加了主开关晶体管和钳位晶体管的波形示波器迹线。 似乎没有任何可能导致30 MHz EMI 的振铃。 但可能会在波形的下降沿出现该干扰。 这些波形是您在此设计上期望得到的波形吗？
此外、我在 TI 网站上查看的 ACF 参考设计都没有在主开关和钳位晶体管上使用缓冲器。 它们在这些晶体管上有什么用吗？
谢谢 
尊敬的 David：
感谢您提供更多信息。
在电压波形中、看起来它们是 Q3和 Q2的漏极/源极电压。
这两个 MOSFET 的关断电压= Vin/(1-D)。 以您的情况为例、它大约为80 - 90V、而 D =~45%。 这会提供~47V 的输入电压、这对于 PoE 输入电压而言是合理的。
对于与主 FET (Q3)并联的 RC 缓冲电路、可能有助于吸收高次 谐波、 但我认为、 在30 -50 MHz 范围内、EMI 的变化不会太大、因为 C15-Q2电路可以完成一些缓冲电路的工作、以实现一定的扩展。
如果没有缓冲电路、次级侧 FET (Q4和 Q5)有时会出现高电压尖峰。 您可以检查它们是否存在此类可能导致 EMI 问题的尖峰。 TPS23734EVM 可以用作次级侧缓冲器电路设计的参考。 www.ti.com/.../sluucb6a.pdf
此致、
帝昂
尊敬的 Diang：
Q4和 Q5上确实存在一些尖峰和振铃。 我在您提供的参考中添加了推荐的缓冲器。 使用电缆夹测量电缆上的电流、EMI 频谱没有太大的变化(我尚未在测试室内进行测试)。 低频略有上升(~1.0dB)、而较高频下降的幅度略大(~2.0dB)。
如果我没听错、这个电路应该不会在30 -50 MHz 范围内产生 EMI 信号。
布局是否是导致信号出现的原因？ 这是 PoE 部分的顶层布局。 与 TPS23754EVM 中的布局相比、我的初级开关电路的布局看起来比 TPS23754EVM (连接到变压器的引脚1和2、大部分页面没有)更紧凑。 但是、有源钳位位于右上角、连接到 C62电容器。 这可能是原因吗？
电路板为6层、2个内部 RTN 平面、其中 RTN 平面填充位于顶部和底部。 背面没有元件、只有非关键连接布线以及内部层上的非关键连接布线。
谢谢。
大卫
尊敬的 David：
感谢您的跟进。
是的、我认为 PoE 不应该是产生 30 -50 MHz EMI 的强大资源。 它可能是205kHz (开关频率)噪声的强源。
而高频 EMI 可能会通过 PoE。 如果我们可以在 EMI 路径中增加阻抗、我们仍然应该能够降低 EMI。 可以尝试 CM 扼流圈和磁珠/固定电感器、以了解它们是否会对 EMI 测试造成任何影响。
对于布局、我可能会看到开关节点(红色循环)很大、由于其电容相对较大、这可能会导致一些 EMI 问题。 您可以尝试增加初级 FET 的栅极电阻、看看它是否会导致 EMI 结果发生任何变化。
此致、
帝昂
尊敬的 David：
另外、我感到困惑的是、当以太网断开连接时、除了直流适配器输入外、TPS23754EVM 不应通电。
以太网电缆断开连接并发出噪声时、
只是想知道电子负载是否是噪声源、您能否尝试使用固定负载电阻器？
此致、
帝昂
尊敬的 David：
感谢您的耐心等待。
已经咨询了高级 PoE 工程师。
30 -40 MHz EMI 噪声可能来自次级侧同步 FET。 由于您已在 Q1和 Q5添加了缓冲电路、您能否显示它们的 VDS 电压？
此外、对于测试方法、 我是否可以知道 您在进行 EMI 测试时遵循了哪种标准？ 可能需要 LISN (线路阻抗稳定网络)以进行有效的 EMI 测量。 请查看随附的 LISN、其中有一个 RJ45输入和输出连接器。
此致、
帝昂
尊敬的 Diang：
当 PoE 与 TPS23754EVM 断开连接时、EVM 没有电源。 因此、PoE 以太网电缆断开连接时的频谱表示本底噪声、其中包含内部频谱分析仪噪声+电缆钳位探针拾取的任何环境信号。 0Hz 和~ 10 MHz 之间的大尖峰是频谱分析仪产生的赝像。 它始终存在、即使没有到频谱分析仪的输入。
我在 TPS23754EVM 的输出端插入了一个10欧姆的电阻器。 通过以太网电缆获得的频谱与使用电子负载获得的频谱非常相似。 请参阅所附的屏幕截图。 30 MHz 信号仍然存在。
谢谢。
大卫 
尊敬的 Diang：
LISN 用于150kHz 至30 MHz 频率范围内的传导发射。 由于我们的器件不由交流电源供电、因此我们无需测试传导发射。 我们必须按照 FCC 和 EU 要求测试从30 MHz 到1GHz 的辐射发射。
Q1和 Q5的 VDS 电压如下所示。
还有一个问题。 我一直看不到它。 在 L2的5.0V 输出上存在一个大约8kHz 的振荡。 峰间电压约为350mV、有时 降低1/3、有时不存在。 振荡也出现在 Q5的 VDS 波形上。 第二个屏幕截图显示了 Q5的 VDS 波形上的振荡。 此振荡是否与输出电压的光耦合器反馈电路有关？ 我直接从 PMP5818参考设计复制了光耦合器反馈电路。 我注意到、TPS23756EVM 设计具有光耦合器反馈电路中的一些元件值、TPS23734EVM-094也是如此。 所有3种设计均为5V/5A ACF 设计。
谢谢。
大卫
尊敬的 Diang：
如该屏幕截图所示、Vout 处的确切频率为8-9 kHz。 通道1和2 (Q5-黄色和 Q1-蓝色)均指屏幕上的同一接地点。 通道3 (粉色)是5V 电源、以屏幕上的不同接地点为基准。
感谢您的参考。 我会研究它们。
至于参考设计、它们都不是5V 5A 输出。 这不会影响反馈环路吗？
谢谢。
大卫
尊敬的 David：
1) 1)在 SMAJ58A-RTN 之间、VSS 是一个 TVS 二极管、B2100-13-F 是一个肖特基二极管。 此外、在 VSS 和 RTN 之间有一个内部热插拔 FET、它具有一个体二极管。 使用适配器且 PoE 关断时、该二极管可以正向偏置。
肖特基二极管可以在 VSS 和 RTN 之间提供更低的电压、这对于这种情况下的芯片基准电压更好。 它可以提高此条件下 IC 的性能、因为大多数电压基准都参考最好是最低电压的 VSS (而当二极管正向偏置时、VSS 电压高于 RTN)。
齐纳二极管可以更好地保护内部热插拔、以避免雪崩击穿。
在大多数 设计情况下、两个二极管都不是强制性的。
2) 2)这些电容器主要用于共模降噪功能。
此致、
帝昂
