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[参考译文] BQ25628EVM：有关 NVDC 波形的问题

admin
Guru**** 2770755 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ25619, BQ25628

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1254887/bq25628evm-the-question-about-nvdc-waveform

器件型号：BQ25628EVM
主题中讨论的其他器件：BQ25619、 BQ25628

您好

当充电被禁用时、VSYS 将下降大约50mV、而 VBAT 最初将下降到最低系统电压之上。 但并没有包含在数据表中。 这种现象是否正常？ 是什么导致了今年秋天？ 谢谢。

此致、

赖克

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    TI__Guru**** 2770755 points
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    Ryker 您好！

    请参阅数据表的第9.3.4.1节"窄 VDC 架构"。 当充电被禁用并且 VBAT 高于最小系统电压时、VSYS 被调节为比 VBAT 高50mV。 当 BATFET 因高于最小系统电压的电池电压而导通时、VBAT 和 VSYS 之间的差值为 BATFET 的 VDS (ON)。

    此致、
    亚历克

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    TI__Guru**** 2770755 points
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    尊敬的 Alec：

    我想混淆的是、当 充电被禁用且 VBAT 最初高于最低系统电压时、VSYS 会下降50mV。  BATFET  无法完全打开开关以完全打开是否导致此问题？ BQ25619的数据表中的下图并未显示这个秋天。 谢谢。

    此致、

    赖克

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    TI__Guru**** 2770755 points
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    Ryker 您好！

    该图片可忽略、因为它不适用于 BQ25628。

    这种行为是正常的。 在示波器图中、当 VBAT < VSYSMIN 时、 禁用充电时 VSYS 和 VBAT 之间存在偏移。 该偏移的规范通常为230mV、可在数据表第9页找到、称为 VSYS_REG_ACC (对于 VBAT < VSYSMIN)。

    在禁用充电期间、随着 VBAT 上升至高于 VSYSMIN、 VSYS 将调节至高于 VBAT 50mV、遵循相同的规格、但在不同的条件下 VSYS_REG_ACC (对于 VBAT > VSYSMIN)。 因此、在本例中 VSYS 降至约50mV 的原因是、可将其调节为比 VBAT 高50mV、而不是比 VSYSMIN 高230mV。

    此致、
    亚历克