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[参考译文] BQ24179:有关 SDRV 的问题

Guru**** 2502425 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1253687/bq24179-questions-about-the-sdrv

器件型号:BQ24179

大家好、  

   根据数据表、当未组装发货 MOS 时、SDRV 引脚应通过1nF 电容接地。 但在客户的设计中、他们使用大宇宙飞船并通过大容量电容器将 SDRV 连接到地。  他们的系统中是否存在任何潜在风险? 它的电池组是2节电池。

  此外、客户测量的波形如下所示。 VBUS 被移除。 VSYS 仅由2节电池提供支持。示波器探针的内部电阻为1M Ω。

   

   我在 E2E 上搜索了。 SDRV 由电荷泵供电、该电荷泵具有加载 MOS 的电容或 Cgs 的弱能力(NA)。  使用具有1M Ω 的示波器探头可能会触发 振荡。 以下是我的问题:

   Q1.我还发现 SDRV 可以工作50%的负荷。 因此,您能否帮助我确认引起振荡的原因是客户测试的?

   Q2.为什么  SDRV 输出以50%的占空比运行、而不是在仅连接电池时使 ShipFET 完全导通。 我发现这可以降低 IQ。 但这没有道理。 因为 连续充放电 MOS (叫 Q3) 会浪费能量、增加功耗。 而对于 SDRV 工作50%的占空比可能导致船舶 mos 关闭和不断地打开,导致 Vbat 震动。 这让我感到困惑很多。

   

您自己的

不适用

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    您好、NaN:

    在仅电池模式下、SDRV 以50%的占空比工作、以便最大限度地降低 Iq。  任何电阻负载、甚至10Meg 示波器探头、都可能导致 SDRV 输出压降。  如果仅驱动一个电容器、则不会出现压降。  您可以使用设置为最高输出阻抗(通常为1千兆欧姆)的高度计进行测量。  我尚未通过将电容器同时接地和连接到 shipFET 栅极进行测试、因此我不建议这样做。

    此致、

    杰夫

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    尊敬的 Jeff:

    SDRV 函数在50%的占空比以最小化 Iq。

       我对这一点很困惑。  这种做法是否会浪费能源来一次又一次地对运输 MOSFET 进行充放电?

       此外、 我对  SDRV 上的 CAP 和船用 MOSFET 的潜在风险也有一定了解。 在仅电池模式下、SDRV 应占空比为50%。 电容器越多、充电和放电的速度就越慢。

    您自己的

    不适用

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    您好、NaN:

    您看到 SDRV 周期性下降的唯一原因是 SDRV 上有10M Ω 的示波器探头。  如果您使用高阻抗 JFET 探头或设置为1G Ω 阻抗的万用表、SDRV 不会下降。  SDRV 上的额外电容会减慢船舶 FET 的导通和关断速度。

    此致、

    杰夫

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    尊敬的 Jeff:

        SDRV 功能占空比为50%、可最大限度降低 Iq。  您是说 SDRV 内部电荷泵以50%的占空比工作?

    您自己的

    不适用

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    您好、NaN:

    可以。

    此致、

    杰夫