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[参考译文] LM5118-Q1:开关波形超过 MOSFET 和二极管最大限制。

Guru**** 1456330 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5118-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1253245/lm5118-q1-switching-wave-form-exceeding-mosfet-and-diode-maximum-limits

器件型号:LM5118-Q1

大家好、

我使用 LM5118-Q1 IC 设计了一个直流/直流转换器、规格输入范围=12V-36V、输出= 24V 3A。  输出可进行精确的线性调整、负载调整率和效率也很好。

但 MOSFET 和二极管波形似乎不能令人满意、大约10 - 20ns 的峰值将高于 MOSFET 和二极管的额定电压。 是否会产生任何问题、请提供建议。

随附带波形的原理图 PDF 和测试报告。

   e2e.ti.com/.../24V-3A-DC.docx

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    大家好、Shashank、

    请确保使用"尖头与桶"方法进行测量。

    使用 "尖端和接地筒"方法时、如果在稳态下峰值仍高于额定电压、我认为这是不可接受的。

    此致、

    冯志

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    尊敬的 Feng:

    感谢您的建议。 我现在使用 Barrel 尝试、MOSFET 上的峰值电压低于45V、相当于其最大 VDS 的80%。 但二极管 D3 (降压二极管)尖峰超过60V、其 VBR 仅为50V。 您能为我提供任何可以减少该尖峰的解决方案吗? 我能否在二极管上使用 RC 缓冲器来减小它。  

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    大家好、Shashank、

    可通过以下方式改善电压尖峰:

    • 改进布局
    • 增加 MOS 的栅极电阻
    • 添加 RC 缓冲器

    此致、

    冯志

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    谢谢 Feng Ji、

    我会尝试你的建议。