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器件型号：LM74900Q1EVM 主题中讨论的其他器件： LM74910-Q1
大家好、
您是否知道 LM74900Q1EVM 中是否存在与 Q4 MOSFET 控制相关的任何问题或勘误表？
客户似乎在 LM74910-Q1的应用板方面遇到了 Q4问题。 基本上,它似乎高达5.4A 评估板工作完美.
但是 ：
- 在大约12…16 V 电源时 ,我们 用2R 负载和电子负载测试了 OCP (这两种 方法都导致 热 Q4晶体管接近 OCP 开关点(也许之后), 有时 我们得到了有缺陷的 MOSFET Q4 )
- 我们不明白为什么 MOSFET Q4变得 很热,即使栅极电压开关关闭在过流事件的情况下相当好. 在 OCP 触发5.4A 之前关闭 Q4仍为冷…。 。 过热事件仅在靠近开关关闭区时发生。
在下方 、您可以看到 发生 OCP 时的黄色示波器信号 HGATE。
- 然后、我们 从电路板中移除了10nF C6、仍然出现问题
- 下面测试的原始跳线设置
谢谢！
达里亚
