[参考译文] BQ24780S：布局建议

admin

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器件型号：BQ24780S

先生

我们将执行 PCB 布局、简要布线计划如下

顶层(放置)：IC 和以 AGND 为基准的其他元件

中1层：AGND 和布线

中间2层：PGND

底层：(放置)：MOSFET、Rsense、电感器、输入和输出电容器(高载流的预期路径)

对于完整的 PGND 平面、我们计划在中间1层布置相位、HIDRV 和 LODRV

您能否建议上述迹线是否必须进行屏蔽？

谢谢

此致

本

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Ben：

相位本质上是降压转换器的开关节点。高频电流环路、该环路应尽可能小。 IC 应靠近开关 MOSFET 的栅极引脚放置、并使栅极驱动信号布线保持较短、以实现干净的 MOSFET 驱动。从布局捕获来看、开关 MOSFET 的放置位置似乎更远离 IC。回答您的问题时、应该屏蔽这些迹线。

0 admin 2 年多前

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海静

感谢您的评论！

BQ24780S 和 MOSFET 之间的距离约为30mm

已理解、接地灌注会引入额外的寄生电容

我不知道由于寄生效应、AGND 会不会像预期的那样安静、或者实际上不需要担心。

此致

本

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Ben：

到电源电路的接地电流不应流经小信号电路接地、这样电源电路中的高 di/dt 噪声就不会影响小信号电路。

有关感应电路布局、请参阅以下链接中的应用手册第4部分、该部分对所有开关充电器具有相同的基本概念。

电感器、高侧 MOSFET 的源极和低侧 MOSFET 的漏极之间的开关节点焊盘、覆铜或布线应尽可能小、以减少开关节点和任何其他元件之间的寄生电容、并更大限度地减少辐射 EMI 发射。此外、请勿将小信号迹线直接布置在开关节点多边形的上方或下方。

您还可以参阅下面链接的用户指南中的 BQ24780SEVM 布局。

电源管理（参考译文帖）(Read Only)