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大家好、我看到 LM5145的温度系数为+4500ppm/C、有助于跟踪低侧 MOSFET 的 RDSON 温度变化。 我正在尝试确保在较高的温度下我们的电流限制相同、但我需要一些帮助来了解数学计算是如何工作的。 您能帮我完成此示例吗？
如果我们的低侧 MOSFET 为 CSD18563Q5A、则 RDSON 与温度的关系如下图所示。 鉴于 LM5145栅极驱动器在7.5V 驱动 VGS、这意味着 RDSON 在25°C 时为6m Ω、在125°C 时为10.5m Ω。
使用公式 R_ILIM =(I_OUT - I_L / 2)/ I_RDSON x RDSON、如上表所示、在25°C 时电流限制 I_OUT = 14A、峰峰值电感器纹波电流 I_L = 3A、I_RDSON = 200uA、RDSON = 6mA。 电流限制为14A。
现在、如果我尝试计算125°C 下的电流限制 I_OUT 值、我可以重新排列公式为：
I_OUT =(R_ILIM x I_RDSON / RDSON)+ I_L / 2
要在25C 下对此进行仔细检查=> I_OUT =(375 x 0.0002 / 0.006)+ 3/2 = 14A
现在尝试求解125C 下的电流限制、是否会将 I_RDSON 增加+4500ppm/C、如下面的数学计算结果所示？
TC = 4500ppm/C x (125C-25C)= 0.45
I_RDSON = 200uA x (1+0.45)= 290uA
假设 R_ILIM 的 TC 为100ppm/C、然后在125C 下、它的电阻为378.75欧姆。
在上面的公式中使用此公式、即 RDSON @ 125C = 10.5m Ω
这样会得出 I_OUT =(378.75 x 0.00029 / 0.0105)+ 3/2 = 12A
我的数学运算正确吗？ 如果没有、您能帮助我正确地完成数学计算吗？
我想确保我了解较高温度下的电流限制、因为如果我们设计14A 限制、但实际上在较高温度下获得12A 的限制、我们将需要稍微重新设计我们的电路。 对于我们如何在不同温度下提高设计的一致性、您有什么建议吗？ 是否有其他更好地匹配此温度系数的 MOSFET？
谢谢！
