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器件型号：UC3845A 主题中讨论的其他器件：UC3845、UC3843、 UC3842、、 UC3843A
具有闭环电压控制功能的非隔离式高压直流/直流(24VDC 至600VDC)无法保持负载。 即使直流电压约为43%(远低于限制、并且初级电流未显示任何饱和迹象、输出电压也会随着负载的增加而开始下降。 有什么建议吗？ 谢谢。
您好、Manuel：
感谢您调查此问题。 它是反激式。 我指的是随着负载增加的逐渐输出电压降、而不是瞬态响应。 例如、输出电流再增加10%之后、如果我继续增加负载、则会导致电压下降5%甚至更多。 这里没有光耦合器。 衰减后的输出电压馈送到控制器的反馈输入。 在这种情况下、我希望获得更好的负载调节性能。 开关频率约为100KHz。 连接的是开关晶体管源极中电流感应电阻器上的电压。 这是我开始看到问题的地方。
目前的电阻器值为0.3 Ω。 我尝试将其降低35%。 它稍微提升了负载调节、但没有显著提高。 这是正确的方向？ 从波形可以看出、平均初级电流约为0.7A (直流= 42%时峰值为3.33A)。 在24V 下、输入功率约为16W。 输出功率约为10.6W。 我在哪里松开5.4瓦特？ 晶体管的电压相当低(我假设其最大值约为1W)。 该控制器由单独的15V 电源供电。 变压器次级绕组中的杂散电容看起来很大(电流的香料)。
如果 UC3845的最大直流效率为50%、我不理解数据表中的图7-5。 我相信、无论 RtCt 值如何、DC 都被限制为50%。 目前、我拥有2.2nF 和3.32K 的电容。 根据图7-5中的图、最大直流应约为88%。
最好增加位匝数比 NS/NP、以降低标称直流电流。
您是否会推荐其他较新的控制器？
谢谢你。
要验证最大占空比：
在数据表的第8.3.6节中、您可以检查用于计算 dmax 的公式(请参阅随附)。 在图 7.9您可以根据 CCT 估算死区时间。 您可能需要减小 CCT 以减少死区时间、然后增大 Dmax。 请注意、在这种情况下、开关频率 fs=fosc/2。 如果您的 FS=100KHz、则 fosc=200kHz、您可以在公式中插入这个值。 另请注意、减小 CCT 会增大 FS (请参阅随附的)。
此外、如果可能、我建议使用 BiCMOS 器件(UCC...) 而不是双极(uC...)。 它可实现更低的电流消耗、更高的精度以及许多其他优势(请参阅随附)。
Bohdan. 您可能需要降低电流检测电阻 Rs 的值。 在设计 Rs 值时、需要考虑测量峰值电流值时 SENSE 引脚(请参阅所附)的最大输入电压1V。 如果设计的 Rs 值高于此值、则会发生的情况是比较器将事先锁存(关闭 CMOS) PWM 信号、IC 将耗尽功率。
Manuel、您好！
我花了一段时间在这里做更多的测试。 将 Rt 值从3K32增大到7.5K 并将 CT 从2.2nF 减小到1nF 确实有帮助、PS 在较重负载下很好地保持输出电压、但我在这里不了解相关机制。 请参见连接的初级电流的波形。 
该时间频率为81kHz 与96kHz、略低、但 DC 现在仅为30%、而之前为42%。 此外、磁性导通尖峰要低得多、而所有寄生效应保持不变。 如果您能对此发表评论、我将不胜感激、否则我对结果很满意、我们可以关闭案例。 谢谢你。
您好、Manuel：
非常感谢您提出的所有建议。 我验证/更换了 Rt/CT、尝试了包括 UC3843A 在内的不同 IC、但振荡频率仍低于预期-请查看随附的电子表格中的结果。
e2e.ti.com/.../HVPS_5F00_UC3845A.xlsx
然后、我意识到在这个设计中、在 Rt/CT 和 I_SNS 之间有一个390pF 电容器、这解释了该问题。 这是由我的前任所做的旧设计、我需要从它获得更大的功率。 但我忽略了这个电容器。 如果您能查看随附的原理图并告诉我该电容器的功能是什么、我将不胜感激。 顺便说一句、您是对的、布局不是很好、而且 Rt/CT 不靠近引脚4以及其他一些东西。 我会尝试修复它。
我观察到、一旦我开始加载更多+/-315V 绕组、更大的电流尖峰就会开启。 现在、输出功率的较小增长会导致变压器和开关晶体管的温度快速升高。 你认为它可以通过某种方式改进吗？
感谢您的耐心。