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[参考译文] BQ76942:使用 DDSG 控制低侧 MOSFET (请帮助转移到内部论坛)

Guru**** 2551300 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76942

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1249792/bq76942-use-ddsg-to-control-low-side-mosfet-pls-help-to-transfer-to-internal-forum

器件型号:BQ76942

大家好、

客户想要使用 BQ76942中的 DDSG 引脚来控制低侧放电 FET、您能帮忙查看原理图吗?  
放电 MOS 放置在低侧、充电 MOS 放置在高侧、低侧放电 MOS 由 DDSG 引脚控制。 使用 CHG 引脚控制高侧充电 MOS。

低侧设计

高侧设计

使用低侧控制是因为它与前几代产品兼容、我曾警告过他们、DDSG 仅用作数字信号输出、可用于驱动可能有一些问题的 MOSFET、他们认为它只会影响开关速度、 他们可以接受这样的速度。 您有任何其他建议吗? 感谢您的回复!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、他们需要仔细检查 DDSG 和 DCHG 引脚运行的说明。

    单词"deasserted"是否是指输出低电平逻辑信号(良好信号)?  

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    尊敬的 Kailun:

    您是正确的、因为取消置位意味着输出低逻辑信号。 不过、值得注意的是、通过修改 Settings:Configuration:DCHG/DDSG Pin Config 寄存器、可以将 DDSG 和 DCHG 引脚设置为高电平有效或低电平有效、以更适合您的偏好。

    如果对低侧使用 DDSG 引脚、则会存在一些风险。 该引脚的电压容差比 DSG 引脚低得多、因此如果它意外暴露在更高的电压下、就会损坏。 同样、该引脚不会输出不超过5V 的较大值。 这会使其成为用于驱动大多数功率 FET 的不良电源。 不过、除了这一点、我们不知道 FET 导通需要多长时间。 如果发生短路情况、这可能会带来严重的风险。 我建议改用低侧栅极驱动器。

    总的来说、原理图的大部分看起来都很好、但我强烈建议您不要将 DDSG 用作栅极驱动器。 它的设计并不适合这个角色。 我在下面附上了一些建议:

    1.R38应为10Meg、而不是5.1Meg

    2.通常用 C27和 C26短接至 GND 以避免对电路板的任何电流、这样他们就不会通过 FET 或敏感电子元件、但是我没有看到像很多 TI 参考设计推荐的那样在 C++到 C-之间连接任何电容。 (它可能在那里、只是没有显示、所以我想我会再次检查)

    此致!

    A·内德尔费尔德

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    尊敬的 Asher:

    非常感谢! 您的详细信息和合乎逻辑的答案可提供很多帮助! 我会根据您的回复来回答问题、如果他们真的想回答、我会建议他们再次进行检查。 谢谢!

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    尊敬的 Asher:

    我们的客户说他们 参考的是这篇文章的设计、因此使用 DDSG。

    www.ti.com/.../sluaa84a.pdf

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    尊敬的 Kailun:

    这听起来不错。 如果还有其他问题、请告诉我。 如果 TI 提供了原理图、它应该可以正常工作、但不会在靠近高侧或使用栅极驱动器的任何位置发挥作用。

    此致!

    A·内德尔费尔德