[参考译文] LM5156：可以升压控制器、LM5156和 LM5122可驱动 GaNFET？

Sean、您好！

建议为二极管和 MOS 电压额定值留出一些裕度。

1.我不是 GaN 器件专家。 但典型的 GaN FET 需要6V 栅极驱动器、并且它们对栅极驱动器非常敏感。 因此、不建议将 LM5156或 LM5122直接与 GaN FET 配合使用。

您可以使用具有较低 Rdson 的 MOSFET 或两个 并联的 MOSFET 来改善 温度上升情况。

2、许多因素都会影响温升。  您可以增加较大铜面积的散热器来降低 温升。

3.同步升压是降低二极管损耗但复杂性增加的好方法。  LM5122不支持 GaN FET。

此致、

冯志

尊敬的 Feng：

感谢您提醒我 MOSFET 和二极管的额定电压。 我将修复此问题。

我还注意到、MOSFET 的损耗包括导通损耗和开关损耗、其中开关损耗占比较大的一部分。 我假设这是由于升压转换器没有实现软开关。 因此、我需要选择一个具有低 RDS、on、低 Qgd、低 Qgs 和低 Qg 的 MOSFET。

现在我了解到 LM5156和 LM5122不能直接驱动 GaNFET。 因此、我需要找到另一种解决方案、以尽可能减少 MOSFET 和二极管上的热量。 以下是我正在考虑的一些选项：

• 在不使用同步整流器的情况下使用 LM5156

1. 使用 GaNFET 替代 MOSFET。 使用附加的 GaNFET 驱动器来驱动 GaNFET。 但该驱动器需要一个额外的低压电源。
2. 使用两个并联的 MOSFET 来减少损耗和共享热量。
3. 问题是二极管上的热量仍然不变、未减少。

• 将 LM5122与同步整流器结合使用

1. 高侧 MOSFET 上的损耗/热量应小于二极管。
2. 使用 GaNFET 替代 MOSFET。 使用附加的 GaNFET 驱动器来驱动 GaNFET。 但该驱动器需要一个额外的低压电源。
3. 使用两个并联的 MOSFET 来减少损耗和共享热量。

考虑到上述几点、我认为使用 LM5122是更好的解决方案。 不过，我希望你就此事提出意见或建议。 谢谢你。