This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1248233/tps82085-thermal-resistant-vs-characterization-parameter
大家好、
您能否解释一下热阻与 表征参数这两个术语之间的区别？
在该封装顶部添加散热器是否有效？
谢谢。
您好、ohad：
您可以在该应用手册中找到有关这两个参数的详细信息 、网址为 https://www.ti.com/lit/an/spra953c/spra953c.pdf。
仿真/测量两个参数的设置存在差异。 RθJC (top) 装置在 IC 顶部放置了一个散热器。 IC 耗散的几乎所有功率都会引导至该位于 IC 顶部的散热器。 RθJC (top) 的计算方法是用测得的结至外壳之间的温度差值除以耗散的功率。
μ ΨJT 设置符合 JESD51-2规范。 此设置中未使用散热器、实际上、并非 IC 中耗散的所有功率都流向外壳顶部。 然而、 IC 中耗散的总功率仍用于 ΨJT 的计算中。
ΨJT =(结温-外壳温度)/ IC 中耗散的总功率。 ΨJT 计算中使用的功耗无效、但 Δ I 仍然对电路板设计人员有用、因为这种实验配置非常类似于 IC 封装的应用环境。 在此测试期间、从芯片流向封装顶部的能量大小与 实际应用中的能量大小相似
此致、
瓦伦
