大家好、
我的客户正在使用 CSD17577Q3A、但电池电流限制在设计上发生了变化。 将限制从16更改为19A。
您能解释一下什么是封装限制(35A)和芯片限制(83A)以及电流限制(19A)? 在这种情况下、客户需要考虑哪一种?
此致、
奥斯汀
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大家好、
我的客户正在使用 CSD17577Q3A、但电池电流限制在设计上发生了变化。 将限制从16更改为19A。
您能解释一下什么是封装限制(35A)和芯片限制(83A)以及电流限制(19A)? 在这种情况下、客户需要考虑哪一种?
此致、
奥斯汀
您好、Austin:
感谢您向客户推广 TI FET。 我在下面提供了两个链接。 第一个是应用手册、其中包含指向 TI 针对 FET 的所有基于网络的技术资料的链接。 应用手册中包含的第二个链接是一个博客、该博客介绍了 TI 如何为 FET 指定连续电流额定值。 简而言之、封装限制基于芯片和封装/引线框之间的内部连接。 另外两个限值的计算如博客中所述。 在比较器件时、这些是有用的规格。 但是、最好的方法是估算 FET 中的功率损耗、根据具体应用、我们提供许多 FET 选择工具(应用手册中的链接)、可用于估算功率损耗、以了解 FET 封装是否可以散发热量。 应用是什么? 这用于开关充电器还是电池充电/放电 FET? 同步降压或同步升压工具可用于开关充电器、而负载开关工具可用于电池充电/放电 FET。
https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
您好、Austin:
您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入:N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A 计算出的导通损耗为2.149W。 这接近此封装可以耗散的最大功率。 如果正常充电和放电电流小于19A、这个值会更小。 如果您有任何问题、请告诉我。
https://www.ti.com/tool/LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC
谢谢。
约翰