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[参考译文] LM25149:设计电子表格 FET 损耗计算

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5148, LM25149, CSD18540Q5B, LM5149, LM25149-Q1EVM-2100, LM5149-Q1EVM-400
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1245884/lm25149-design-spreadsheet-fet-loss-calculation

器件型号:LM25149
主题中讨论的其他器件: CSD18540Q5BLM5149LM5149-Q1EVM-400、LM5148

我正在使用 LM25149进行设计、Vin = 36V (标称值) Vout = 12V @ 15A 最大负载。

Webench 使用 CSD18540Q5B FET 在 fsw = 250kHz 时生成设计。 控制 FET 的功率损耗约为2.2W、估计 Tj 为159°C。 (TA = 50摄氏度)。

如果我使用设计电子表格中的相同元件值、但使用 FET 参数的最大值(如已知)、则控制 FET 功率损耗接近3.3W、这会导致结温过高 (>200°C)、θ Ja 为50°C/W。

Webench 似乎可能使用标称 FET 参数、因为我在使用电子表格中的标称参数时可以获取接近其结果的结果。   

使用设计电子表格时、为所有 FET 参数使用最大值是错误的还是过于保守? 我尽量避免推荐使用并联 FET 或双相设计、但担心使用标称结果可能不现实。    

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    标记、  

    这是相当合理的、与默认的快速入门计算器结果相比、即使是2.2W 也可能有点多。

    顺便说一下、LM5149快速入门计算器旨在为 LM25149-Q1EVM-2100建模、该 EVM 用户指南包含 FET 和电感器的热像。

    LM5148快速入门计算器也是如此、该计算器以 LM5149-Q1EVM-400建模。

    此外还有电感器损耗、在较低频率(电感越高= DCR 越高)和较高电流下、电感器可能是主要的损耗。

    我建议在 LM5149-Q1EVM-400 EVM 上试用您的设计、并确保初始温度为~10A。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多