[参考译文] LM5149-Q1：可完成#39；t RISE 至24V 负载。

抱歉、第二个数字应为：

在成功的  加电过程中、您可以看到输出可升至24V。 ( 无负载)

尊敬的 Lina：

您需要逻辑电平 FET、这些 FET 通常具有 VGS = 4.5V 的规格。

高侧 MOSFET BSC070N10NS5不是逻辑电平。

请参见 BSC070N10LS5、它是一个逻辑电平等效器件。

您还需要用于低侧的逻辑 FET。

遗憾的是、我似乎找不到相同尺寸的100V 型号。

您可以将 VCCX 电压提高到~6V 并使用现有的 FET 进行测试。

注意不要超过6.5V 的 VCC absmax。

但是、默认 VCC 电压为5V、建议使用逻辑电平 FET。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

在进行此测试之前、我已将 MOSFET 更改为逻辑 MOSFET。 谢谢提醒。 实际上我注意到了。

测试完成后、我换了一个新的芯片。 则电路工作正常。 芯片损坏。

但是、当我运行具有此电路的另一个板时。 电路再次发生故障。

我注意到 EN 阈值太低、那么在电源过程中、它有一个周期 MOSFET 不切换。

我提高了阈值、这很重要吗？ 我现在就做测试了。

我还不知道这个芯片为什么会损坏？

我发现 VDDA 降至4.0V 以下、我认为这是不对的。

我还有另一个发现：VDDA 通电后只有40欧姆接地。  

当它被加电时、VDDA 下降至3.9V。

尊敬的 Lina：

VDDA 源自 VCC。

VCC 仅为3.9V 吗？  

您是否确定5V VCCX 不超过 VIN？

在 VIN 之前、5V VCCX 必须始终关断、以防止反向电流损坏器件。

否则、您需要在 IC 的 VIN 之间连接一个二极管、以防止反向电流。

此外、如果使用 AEF、则5V VCCX 不得超过5.5V。  

希望这对您有所帮助。  

-奥兰多

VCC 为4.8V、但它不是正常的、因为我可以看到周期电压在5V 正常电压上下降。

我再移除 VCCX、VIN 上电时芯片会迅速损坏。 它很热。

然后我按照你的建议在芯片的 VIN 引脚上添加一个二极管、让 VCCX 5V 首先、芯片不会损坏、当我给 VIN 上电时、结果与之前相同：芯片损坏、热、VDDX 40欧姆接地。

我移除了两个 MOSFET、在给 VIN 上电时芯片没有损坏。

当我将 MOSFET 更改为较低的 Qg (充电)MOSFET、因此 VCC 上需要低功耗，芯片仍然损坏。

当我将 PFM 引脚更改为 VDDA 时、改变模式、芯片不会断开、但 VOUT 电压不能升到24V、只能~10V、VIN 引脚上的二极管一段时间后断开  

尊敬的 Lina：

外露焊盘是否连接到 GND 覆铜？ 这样才能从 IC 中散热。

PFM 模式(PFM 到 VDDA)应在没有二极管或没有 VCCX 的情况下工作。  

此外、VIN 上的二极管也不应断开。

您能否在 PFM 模式下捕获启动波形？

VIN、VOUT、VCC、SW 波形

电解电容器 C454的器件型号或 ESR 是多少？

请告诉我、

-奥兰多

感谢您的回答。

外露焊盘连接到 GND 覆铜。  

C454器件型号为 EEVFK2A680Q。

我可以直接将 CNFG 连接到 GND 吗？ 应具有一个在启动期间配置的电阻器、如数据表所示。 但对于评估板、我将 CNFG 连接到 GND 以禁用 AEF、也可以正常工作。

尊敬的 Lina：

是的、您可以将 CNFG 连接到 GND 以实现单相、禁用 AEF、禁用展频。

它在禁用 AEF 的情况下是否起作用？

-奥兰多

在一个电路板上、AEF 禁用有助于在负载超过1A 的情况下正确输出。

在没有禁用 AEF 的情况下(CNFG 41.2K 到 GND)、负载只能达到 tp 1A。 负载超过1A 时、芯片会烧坏。

但是、当我们尝试另一个电路板时。 芯片完全无法工作。 立即烧坏芯片。 就像开始时、我们将 CNFG 设置为 GND 一样。

我检查连接 VCCX 的5V (输出5.02V)、在稳定输出下、电压纹波峰峰值仅为200mV。 1A 负载瞬态时、峰间电压纹波仅为100mV。

VIN、VOUT、VCC、SW 波形如下所示；

C1：中文

C2：低侧 VDS (SW)

C3：VIN

C4：VOUT

尊敬的 Lina：

软启动时间为~3ms、它应在线性斜率的该3ms 内从0V 上升到24V。

启动的阶梯波形是不可预料的。

您没有 LM5149的 VCC。 LM5148 VCC 电压是否持续为5V？

此外、VIN 电压不应降低。 您的电源电流是否受到限制？

此外、请使用快速入门计算器仔细检查您的补偿设计。

https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 

请填写并将其附在此处、以便我也可以进行检查。

75kΩ 的 RCOMP 是过大的。 我认为它应该低得多。

-奥兰多

我已将 R 和 C 值更改为 快速入门计算器建议的值。 我仍然得到了芯片燃烧的结果。

计算器就是这样。

e2e.ti.com/.../LM5149-Quickstart-Calculator_5F00_rev1_5F00_BSZ070N08LS5.xlsm

烧毁后的通电图如下所示。

VIN 是 AFE 滤波器(TP409)(LM5149的 Vin 的引脚)之后的现场测试。 我们已对电源设置电流限制、但它似乎未触发该限制。

在 VCC 上、您可以看到由于 MOSFET 的开路和闭合而产生的一些干扰。 最高将是5.7如我们注意到,但不幸的是, 数字没有保存。

目前 CNFG 已连接到 GND。 因此 AEF 不会被禁用。 因此 VCC 可超过5.5V。

我们目前未使用外部 VCC。

原理图如下所示。

尊敬的 Lina：

即使禁用了 AEF、VCC 也不能超过5.5V。  我建议在确定直流/直流部分之前将 AEFVDDA 电容器和电阻器移除到 VCC。

VCC 纹波不应这么大。 VCC 电容器是否靠近 VCC 和 PGND 引脚？

另外、请重新连接您的原理图、E2E 上的图像分辨率很低。

-奥兰多

e2e.ti.com/.../2437.schematic.docx

将原理图放在文字中。

VCC 电容器距离 VCC 引脚稍远。

该电容器放置在芯片的另一侧。

Lina,

VCC 电容器的放置绝对不是最佳的。 这可能就是 VCC 纹波如此大的原因。

请将其放置在更靠近 IC 的位置。  

HO、LO 和 SW 布线厚度应更厚、如20mil。

此外、HO 和 SW 布线需要布置得靠近 FET。  

使用外部 VCCX 时、是否测量了进入 VCCX 的电流？ 或者您是否能够测量流入 IC VIN 引脚的电流？ 串联1Ω 电阻器可以帮助做到这一点。

-奥兰多

您好、Orlando：

这是芯片燃烧的最后一分钟。  

C1：VIN 电压

C2：低侧 MOSFET VDS

C3：电感器电流

C4：VDDA 电压

我们使用外部电压为 VCC 供电。 当我们在 VCCX 电源上设置电流限制时、您可以看到 VDDA 在该时间点降至~3V。

此时电感器电流非常小。  

我们已经将一个电容器放置在靠近 VIN 引脚和 PGND 的位置。

我们为 AGND 和 PGND 使用一个接地平面。  

尊敬的 Lina：

但是、VCC 电容器的放置也非常重要。

在 PFM 下处于轻负载状态时、VDDA 可能降至3.3V、但 VCC 应始终为5V。

数据表的第8.3.2节对此进行了详细说明。

不起作用的是 SW 节点(低侧 FET VDS)线性下降到20V、然后无限期保持在20V。

根据所使能的 FET、SW 节点应为 VIN 或 GND。

如果两个 FET 都关断、则 SW 应在 VOUT 电压周围振铃、除非 VOUT 下降、否则不是线性斜率下降。

然而、在20V 时保持平坦是 非常奇怪的。

另外、似乎 当 VDDA 降至~3.3V 时、此时 VOUT 电压过高。

-奥兰多