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[参考译文] BQ2970：LiFePO4电池的 MOSFET 建议

admin
Guru**** 2381920 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD83325L, BQ2970, CSD85302L
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1242045/bq2970-mosfet-recommendation-for-lifepo4-cell

器件型号：BQ2970
主题中讨论的其他器件： CSD85302L、CSD83325L

您好  

我们希望 在由单节 LiFePO4电池供电的设计中使用 BQ29706。

设计要求

持续充电电流小于0.5A

持续放电电流小于5A

根据数据表、OCC 和 OCD 取决于充电和放电 FET 的 RDS (ON)。

根据计算结果

RDS (on)= 40mohms、在放电模式下 Pd = 1W、但 在 SCD 期间、功率将约为9W 、我无法找到肯定满足所有要求的 MOSFET  

什么是脉动电流、所有其它 MOSFET 参数、我们需要考虑哪些适合我的应用的 MOSFET 并建议哪些一般规格？ 对于 Shortciruit Current、有哪些布局建议？

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    TI__Guru**** 2381920 points
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    尊敬的 Chaitanya：

    我需要注意的一点是、40m Ω 是两个 MOSFET 上的总 RDS (ON)、因此每个 MOSFET 都需要20m Ω 的 RDS (ON)。 9W 功率也将分配到两个 MOSFET 之间、因此您需要的 FET 只需额定功率为4.5W、由于 BQ29706上的 SCD 延迟为250us、因此只需在这么长的时间内处理4.5W 功率。

    如果您在查找具有这些参数的 MOSFET 方面仍需要帮助、我很乐意加入 MOSFET 团队来为您提供帮助。

    有关布局建议、请参阅 第12节：布局 以找到布局指南和示例。

    此致、

    马克斯·韦博肯

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    TI__Guru**** 2381920 points
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    你好、Max

    非常感谢您的详细信息。 我漏掉了一件事、我当时在寻找2N 通道共漏极 FET 阵列。

    当然、如果您和您的 MOSFET 团队为我的应用提供建议的 MPN、我将不胜感激。

    此致

    Chaitanya  

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    TI__Guru**** 2381920 points
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    尊敬的 Chaitanya：

    我加入了 FET 团队、目的是帮助推荐符合您需求的 MOSFET。

    此致、

    马克斯·韦博肯

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    TI__Guru**** 2381920 points
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    您好 Chaitanya：

    感谢您关注 TI FET。 TI 有几种共漏极双 N 通道 FET、其中包括采用1.35mm x 1.35mm LGA 封装的 CSD85302L 20V 芯片级器件。 当 VGS = 4.5V 并且 VGS = 2.5V 并且 TC = 25°C 时、源源极到源极导通电阻为25°C 最大值、TC = 24mΩ 和36mΩ 最大值。 BQ2970提供3.7V 的典型栅极驱动、I Estimated Rs1s2 = 23mΩ 典型值和28mΩ 最大值。 5A 时的导通损耗估算值为：

    PCOND = 5A x 5A x 28mΩ x 1.25 (正温度系数、假设 TC = 100°C)= 0.875W

    这推动了封装的功率耗散能力。 in²数据表显示最大值1.7W、该值是假设1 μ F、2oz 铜焊盘(典型值 Rθja μ V = 75°C/W)且 TC = 25°C 计算得出的。 经验法则是、此封装可最大耗散大约0.7W 的功率。 通过使用数据表图1中的瞬态热阻抗曲线(Zθja = 0.035)、它可以处理250μs 的4.5W 功率：ΔTJ = PD x Zθja x Rθja = 4.5W x 0.035 x 75°C/W = 11.8°C。

    另一个选项是采用2.2mm x 1.15mm LGA 封装的 CSD83325L 12V 芯片级器件。 导通电阻更低、VGS = 4.5V 时 Rs1s2 = 11.9mΩ 最大值、VGS = 3.8V 时13mΩ 最大值。

    PCOND = 5A x 5A x 13mΩ x 1.22 = 0.4W、完全处于封装能力范围内

    我不确定较低的导通电阻如何影响 OCC 和 OCD 阈值。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2381920 points
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    您好 Chaitanya：

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请联系我们。

    谢谢。

    约翰

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    TI__Guru**** 2381920 points
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    尊敬的 Chaitanya：

    再次感谢您关注 TI FET。 由于我没有得到回复、我假设您的问题已得到解决、将关闭该主题。

    此致、

    约翰