我的客户正在使用 SEMI FDMT80080DC MOSFET、它公布了1734 mJ 的 EAS、我想推荐 CSD19506、但它的 EAS 被列为832 mJ。
我从您的视频中了解到、其他竞争对手使用看似较高的电感(就像 FDMT FET 一样)来夸大其 EAS 值……但我如何比较这两种器件呢？ 您能帮助我了解 FDMT FET 的实际值吗？
谢谢
Jeffrey、您好！
谢谢咨询。 根据我们 FET 数据表中发布的雪崩电流和能量规格、TI 趋于相当保守。 测试了大量样本以确定25°C 和125°C 处0.1mH、1mH 和10mH 电感值下的测量能力。 雪崩电流是测试和降额的采样能力的平均值。 雪崩能量的计算公式为½ x LI²、其中 I 是降额的电流平均值。 对于 CSD19506KCS、数据表电流(25°C 下为129A)已降额至测量能力的65%、能量为½ x 0.1mH x 129A²= 832mJ。 由于我们未发布1mH 和10mH 的规格、因此数据表图11中的图是用于传输该数据。 我提取了在产品开发过程中收集的数据。 1mH 时的降额平均电流为55.5A (降额至测量能力的65%)、计算得出的能量为1538mJ。 10mH 时为25.5A 和3264mJ。 我获取了这些数据、创建了带有 EAS 与 L (对数标度)平滑线的散点图、并包括如下所示的功率趋势线。 我使用趋势线方程来估算 EAS = 2230mJ 和3mH 电感。 基于此、我认为 CSD19506KCS 的雪崩能力优于竞争对手的产品。 我希望这对您有所帮助。 如果您有任何问题、请告诉我。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
