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[参考译文] UCC28950:关于匀场电感要求

Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC28950

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1244858/ucc28950-regarding-the-shim-inductance-requirement

器件型号:UCC28950

大家好!

对于我的 psfb、计算出的用于实现 ZVS 的匀场电感值低于500nH、但很难制造500nH 功率电感器、我的一位同事建议、通过在 MOSFET 上添加外部电容器来增加 Coss、从而增加匀场电感值。  

(1)上述策略是否可行? 如果 工作、它对我的 电路是否有影响或缺点?

(2)假设所选变压器在初级侧的泄漏超过2uH。 这远远超出了我计算的匀场电感值。 如果我选择此变压器泄漏来实现 ZVS 而不是匀场、会产生什么影响?  

谢谢。此

致、 N·阿诺普
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Anoop、

    感谢您对 UCC28950提出疑问。

    这是可行的、但它取决于应用、且有优缺点。

    1.要实现 ZVS、两个参数很重要。 一个是能量、另一个是转换时间。 明显增加 漏电感可以增加 ZVS 的可用能量、从而扩展 ZVS 负载范围

    其它因子转换时间(死区时间)通常设定为1/4谐振周期。 因此、使用高匀场电感器具有 在电压转换期间降低谐振频率的效果、因此需要增加死区时间。 这不是理想的高 FSW 应用、并且还会增加体二极管导通损耗。

    3、 出于这个原因、减少电路中的电容能量是合乎逻辑的做法而不是增加电感能量、这意味着需要为该转换器(和变压器)以及一般的其他 ZVS 拓扑降低 MOSFET 的输出电容。

    请参阅下面详细讨论了取舍的应用手册。

    https://www.ti.com/lit/an/slua107a/slua107a.pdf?ts = 1688527331237&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FUCC2895

    此致、

    哈里什