主题中讨论的其他器件: TPS40428、 TPS543C20A
您好!
以下哪种设计更适合5G 无线电单元中处理器/FPGA 的内核电压(通过自然对流进行冷却)、并具有规格要求:VIN=12V、Vout=0.85V、Iout= 35A:
1.两个 TPS543B20堆叠(在双相模式下运行)。
或
2. TPS40428 用于具有两个智能功率级的单输出、双相模式。
此致
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您好!
以下哪种设计更适合5G 无线电单元中处理器/FPGA 的内核电压(通过自然对流进行冷却)、并具有规格要求:VIN=12V、Vout=0.85V、Iout= 35A:
1.两个 TPS543B20堆叠(在双相模式下运行)。
或
2. TPS40428 用于具有两个智能功率级的单输出、双相模式。
此致
您好!
我会为该应用推荐 TPS543B20。 它是处理此范围内高电流应用的出色器件。 与 TPS40428相比、TPS543B20具有可扩展的可编程基准电压、可使您减少外部组件。 它还具有 API/BB (异步脉冲注入和体制动)、可显著减少输出电压的过冲和下冲。
另一方面、TPS40428特有 PMBus 通信。 如果数字编程对您很有用、那么我会推荐这款器件。
此致、
布里顿
布里顿·琼斯 在观察美国节日时出了办公室。 一旦他回到办公室、他就会回来找您。
不过、如果您担心满输出负载(35A)下的总功率损耗、您可以考虑堆叠2个 TPS543C20A 器件、而不是2个 TPS543B20器件。 在17.5A/相时、两个 TPS543C20A 器件将提供比两个 TPS543B20器件更高的效率。 虽然 TPS543B20器件在负载电流低于25A (12.5A/相)时的效率更高、但'C20A 在更高的电流下的效率更高。
TPS40428的热性能将在很大程度上取决于所选的功率级、但在35A/相下经优化可实现最低损耗、它们与 TPS543C20A 类似。