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[参考译文] BQ76952:BQ76952 CMOS 损坏问题

Guru**** 2455360 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76952

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1238772/bq76952-bq76952-cmos-damage-issue

器件型号:BQ76952

您好

开发出符合 BQ76952的客户设计。  在充电测试过程中、CMOS 关断波形如下所示、MOS 栅极未立即关断、MOS 栅极在完全关断之前保持在高于4V 电池电压的位置约80ms。 同时、CMOS 的漏极也有一个80ms 的电压上升。

充电电流70A、充电电压28.6V、MOS 耐受电压40V。 CMOS 损坏。

附上了原理图和波形。

e2e.ti.com/.../FQ07_5F00_1V0_5F00_SCH_5F00_1V0_5F00_MOSFET.pdfe2e.ti.com/.../3730.config.txt

请帮助检查它。

谢谢

星形

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    您好、Star:  

    额定 FET 电压在40V 时太低、我们建议您的额定电压至少为预期电压的两倍。 在大多数情况下、我们的客户会使用100V 额定 FET 来确保稳健性和额外的裕度、从而帮助防止发生瞬态。  

    谢谢。  

    -Luis Torres

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        电池电压最高 为 28V,在  充电 测试中,MOS   会 损坏 ?
    为什么  截止 波形 具有  中间 电压 、即  VBAT+4?

     示波器 未  采集到   超过 40V 的电压。

    而且 我们         在  同样的 条件下测试了15A 和30A 的电流,而且   MOS 管 没有  烧坏 。

    在  同一个 应用中,  有  许多 例子 使用 40V mos ,它 测试 正常,并    在 批量 生产中生产,但  mos 是  负 极。

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    尊敬的明星:  

    我知道在这种情况下、示波器没有收集到超过28V 的尖峰、但这并不意味着不会发生超过40V 的尖峰、从而损坏 FET。 我们建议为应用使用典型值为~2倍的最大电压 FET、以确保 FET 在出现此类系统常见的瞬态尖峰期间不会受到损坏。 话虽如此、用户应遵循建议或根据自己对特定系统和环境的了解程度自行做出工程判断。  

    除了 FET 额定电压、我们在原理图中未看到任何可能导致 FET 损坏的内容。 在15A 和30A 的测试条件下、是一个更受控的环境、其行为与电压瞬变不同、例如热插拔等情况。 若要进行进一步调试、我建议在电路板上进行一些尖峰测试、并确保系统上不存在高尖峰。  

    BQ76952是我们更受欢迎的器件之一、我们不知道任何类似的情况、因此我建议进一步研究 FET 选择以进行分析。 希望这对您有所帮助。   

    此致、  

    阿雷利斯·格雷罗  

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    现在 chg 是 float , 在 BQ76952截止 chg 后,我们 手动截止电荷 MOS ,导致 chg 重新打开。

    IN 恒流充电  15A

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    您好, Arelis,请提供帮助。

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    尊敬的 Finch:  

    我在理解图像时遇到了一些困难。

    1. 当您说过手动设置电荷 MOS 截止频率时、您能否更具体地说明具体具体具体做什么?
    2. 我在通道4上看到15A、无论 CHG 由 BQ76952切断、此电流会流向何处?   
    3. 在"手动切断"后,我看到一个电流返回一个位,然后折叠。 发生什么事了?  

    此致、  

    格雷罗阿雷利斯  

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     尊敬的 Arelis:

      以下是答案:

       我们在充电 MOS 的栅极和源极之间连接一个12V 的电池。

       2. 由于充电 MOS 没有截止,所以 CHG 引脚是悬空的(没有连接任何东西)。

       3. "一个小电流"是不可解释的,也许是一个摇手。

    下面是添加的问题:

       1.如果 DSG 和 CHG 全部接通,电压是否必须 相同? 与 CP1电压相同吗?

       2.假定 B+是30V:如果电池组+电压是35V、则 DSG 必须是46V、CP1需要46V、如果电池组+电压开启、则 CHG 是46V。   对吗?

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    在这张图片中、充电 MOS 由 chg 控制、当 chg 截止时、CP1和 DSG 升高、栅极电压 有阶跃电压。

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    您好 Finch:

    DSG 驱动器在此期间是否也打开? 还是应该关闭? 为什么 DSG 引脚的电压上升?  

    您还能告诉我这些都是什么电压吗?  

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好、Luis:

    在此期间 DSG 导通、以保护放电 MOS。

      充电 MOS 关断时、充电器件会产生浪涌电压。

    你能看到图片吗? 上面有一些标签。

    如果 BQ76952设置11V 模式、是否意味着 CP1引脚和 BAT 引脚之间的电压为11V?  因此、   如果 CHG 和 DSG 导通、其电压为 BAT+11V。
    您能 、有关 Pump Δ DSG 和 CHG 的内部电路吗?  分析这个问题对我很有帮助。
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    您好 Finch:

    我们确实有大多数引脚的等效电路图、如以下文档所示:

    可以、当 BQ76952的驱动程序打开 CHG/DSG FET 时、它实际上会将相应的引脚连接到 CP1引脚。  

    当 CHG FET 关闭时、您可以测量 DSG 引脚和 LD 引脚吗? 我想看看这里的电压是多少。 我担心瞬态可能足够大、导致电压通过 DSG 引脚泄漏到电荷泵 CP1电容器中。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛姆

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    您好、Luis:

     我们解决了 chg 上升的问题。  

     但现在, 当 CHG 关闭时, DSG 的电压上升得太高,PACK+有一个大约80V 的浪涌电压,这个电压通过 DS2或   QM17(在 pdf 文件中)进入 DSG。如何保护 DSG 引脚? 只需在 DSG 和 VSS 之间添加一个 TVS? 或 DSG 与 BAT 引脚之间。 您有什么更好的建议吗?

    顺便说一下,在 BQ76952的内部电路中,为什么 CP1到 DSG 有两个 FET ?一个 FET 控制从 CP1到 DSG 的电流,另一个 FET 有什么功能? 我如何控制它?

    此致、

    H·芬奇

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    您好 Finch:

    很高兴听到您解决了 CHG Rising 的问题! 您是否介意分享这个问题是如何解决的?

    DSG 引脚的额定电压为85V、因此在80V 电压下、DSG 引脚应该是可以的!  

    从波形图像来看、DSG 似乎上升到~70V。 这应该是可以的。 如果需要、您可以在 DSG 引脚到 VSS 处添加一个~75V TVS /齐纳二极管、以钳制它不会达到任何更高电压。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙