您好
开发出符合 BQ76952的客户设计。 在充电测试过程中、CMOS 关断波形如下所示、MOS 栅极未立即关断、MOS 栅极在完全关断之前保持在高于4V 电池电压的位置约80ms。 同时、CMOS 的漏极也有一个80ms 的电压上升。
充电电流70A、充电电压28.6V、MOS 耐受电压40V。 CMOS 损坏。
附上了原理图和波形。
e2e.ti.com/.../FQ07_5F00_1V0_5F00_SCH_5F00_1V0_5F00_MOSFET.pdfe2e.ti.com/.../3730.config.txt
请帮助检查它。
谢谢
星形


