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器件型号：UCC21710 UCC21710DW 是否适合驱动 SiC 晶体管、其栅极电荷额定值为 Qg = 1200nC、栅极电阻 Rg = 1 Ω。 晶体管的栅极没有内部电阻、寄生效应可以忽略。 我接受这样一个事实、即峰值电流将受到驱动器能力的限制、但它将在阈值和米勒平坦区域提供几乎没有限制的电流。 是否建议使用这种驱动程序？
我还要说明一下热性能：产品数据表中给出了结温估算公式。 但是、如果我的理解正确、则上拉和下拉输出级晶体管的内部 RDS_ON 会随温度升高而上升、因此输出电流在最大结温下稳定在大约10A (如图6-4、6-5所示)。 是否应相应地调整功率耗散公式中使用的 RDS_ON 值？ 它会加速结温的上升。 或者、或许有另一种机制将输出电流限制在10A？
具体来说、建议在上述条件下使用驱动器、开关频率 Fsw=100kHz、假设 PCB 温度为75摄氏度？ 根据上述公式、可以安全地使用驱动器(PDR=1.13W、Tj=112degC)、但超出了第6.5节中规定的额定功率、Pd = 0.985W。 我希望得到一些澄清。
