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[参考译文] LM5149-Q1：LM5149死区时间规格

admin
Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5149
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1239567/lm5149-q1-lm5149-deadtime-spec

器件型号：LM5149-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5149

大家好、

您能否帮助分享如何定义 LM5149 20ns 典型死区时间？ 以 LO 关断至 HO 导通死区时间为例、它是从 LO 下降时还是从 LO 下降至2V 阈值电压以下进行计数？

此外、客户希望知道死区时间是否可调。  

他们需要理解这一点、以便考虑 不同栅极电阻器和栅极电容器的死区时间余量。  

谢谢！

斯嘉利特

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    TI__Guru**** 2390735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Scarlett：

    20ns 死区时间测量根据命令而定。

    例如、当 LO 开始下降到 HO 开始上升时。

    这将在数据表中包含7ns LO 下降时间。

    如果下降时间随着栅极电容的增加而增加、死区时间将增加。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

  • 0
    TI__Guru**** 2390735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢！

    "随着栅极电容增大、如果下降时间增加、死区时间将增加。"  

    是否有一些检测模块/方法来监控 LO 下降和 HO 上升行为、从而防止跨导？ 您能否分享详细信息？

    谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2390735 points
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    您好！

    正确、通过自适应死区时间、我们等待 HO 和 LO 下降至2V 以下、然后再打开另一个 FET。

    -奥兰多