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[参考译文] TPS629210:低侧 FET 和高侧 FET 的导通电阻为何不同

Guru**** 2391415 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS629210

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1242732/tps629210-why-the-on-resistance-of-low-side-and-high-side-fet-differ

器件型号:TPS629210

根据 TPS629210数据表中提供的功能方框图、高侧 FET 和低侧 FET 均为 NMOS。 为什么一个导通电阻为250m Ω、另一个为85m Ω?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yanggang:

    我们始终为高侧和低侧选择不同的 NMOS。

    这是因为在大多数应用中、占空比小于30%、例如12V 输入电压3.3V/1.2V 输出或24V输入 电压5Vout、而低侧 FET 导通时间远高于高侧。

    为了提高效率、我们通常对低侧 FET 使用较低的 Rdson。