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器件型号：LMG3526R030 大家好、
我的客户 使用评估板对 TI GaN 进行了一些测试。 对于 VDS 额定值仍然有一些问题：
1.根据数据表、650V GaN 具有720V 浪涌额定值和800V 瞬态额定值、具有一些占空比和时间限制。 VDS 浪涌和瞬态额定值是否随温度、fsw 和 dV/dT 而变化？
2.只需确认一下、如果我们使用的是低于600V 的650V GaN、 那么正常运行是否会影响 GaN 的可靠性？
非常感谢！
此致、
欧内斯特
