[参考译文] CSD13381F4：当上部 FET 关闭时、VGS 为-0.6V

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Other Parts Discussed in Thread: CSD13383F4, CSD17382F4

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器件型号：CSD13381F4
主题中讨论的其他器件：CSD、 CSD17382F4、CSD13383F4

您好！

我在下面的电路中使用 CSD。电路在其中一个 FET 导通或两个 FET 均关断时运行。

但是、当我禁用上部 FET (对栅极施加0V)时、有效 Vgs 电压约为-0.6V。在栅极和电源之间有一个保护二极管、我认为它正在打开、因为我看到泄漏电流影响了电压为0.6V 的偏置点 VDDQ_TRIM。是否有替代电路允许我启用/禁用顶部 FET、而二极管至少没有部分正向偏置、或者是否有建议使用的替代 FET。

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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嗨、大家好！

感谢您关注 TI FET。如果 U30的源(VDDQ_TRIM)高于其栅极(VDDQ_MARGIN_DOWN)、则会对单端栅极 ESD 保护二极管进行正向偏置。在同一封装中、我们有两个替代方案 CSD17382F4和 CSD13383F4、它们使用背靠背 ESD 结构来防止这种情况的发生。背靠背结构会导致更高的泄漏(IGSS 和 IDSS)、并且这些器件的1k 价格略高。以下链接介绍了 TI FET 中使用的 ESD 保护。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好、John：

感谢您的答复。这解决了我的问题。请关闭此案例。

此致、

盖伊

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] CSD13381F4：当上部 FET 关闭时、VGS 为-0.6V