This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM74900Q1EVM:修改了下面的原理图、以实现40V–62V 的输入电压

Guru**** 2531340 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1239812/lm74900q1evm-modified-below-schematic-to-achieve-vin-40v-62v

器件型号:LM74900Q1EVM

尊敬的 Taru:

 

我修改了以下原理图、以实现 Vin= 40V–62V、并更改了以下组件值

 

  1. R14 = 1K、R16 = 1.65V、根据数据表中的公式。
  2. 删除了 D1 TVS 二极管。

但在为电路板 MOSFET Q4加电时、会立即损坏。

然后、我还使用 NTMFS015N10MCLT1G 更改了该 Q4 MOSFET、但它再次损坏。

需要您的建议。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Vipin:

    在启动输出捕获时似乎违反了 FET SOA。

    为了证明上述几点 、您可以移除输出电容并尝试为 EVM 加电。 当启动至无电容和无负载时、FET 不会损坏。

    接下来、您可以使用随附的设计计算器来检查所选 FET 在启动特定 Vin (max)和输出电容时是否具有足够的 SOA 裕量。 您可能必须增加 Cdvdt 才能获得良好的 FET 裕度。

     在使用设计计算器之前、请观看培训视频(单击设计计算器中提供的链接)。  

    e2e.ti.com/.../5086.LM749X0_5F00_ID_5F00_Design_5F00_Calculator.XLSX