[参考译文] TPS65988：外部开关 EVK 问题参考设计

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1337170/tps65988-problems-with-external-switch-evk-reference-design

当 VBUS 为5V 时、背对背 P 沟道增强 MOSFET 的栅极电压仅为2.5V。  这导致两个晶体管具有0.21欧姆的净电阻。 这会在电流消耗为3A 时导致晶体管中的功率耗散为2W。 将 R22和 R34更改为100k 会使两个晶体管组合在一起时产生0.05欧姆的可接受 RDS ON。 然而、这产生了一个新的问题、即 RC 常数发生了变化。  在中、系统电源可以 来自 PC 的端口1、然后如果在端口2上提供更高的电源、它将切换到该端口。  当切换到更高电压的端口2时、C10会阻止栅极电压随系统电压升高、Q1将部分导通、从而将更高电压重新连接到端口1上的 VBUS。  不幸的是、在我们办公室的开发过程中、这种情况损坏了 PC 和 USB 集线器。  解决方案是移除 C10。  使用 C9和 C10的原因是什么？  我觉得如果没有它们、设计中出现问题的风险就会更低。