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[参考译文] BQ25756:此芯片上的效率理解

Guru**** 1118350 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B, BQ76942, MSPM0L1306
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1340153/bq25756-efficiency-understanding-on-this-chip

器件型号:BQ25756
主题中讨论的其他器件:CSD18540Q5BBQ76942MSPM0L1306

大家好、

我想更好地了解电路中的功率损耗和效率。 为此、我准备了以下充电器电路:

  • 为5 m Ω、用于 RAC_SNS 和 VAC_SNS。  
  • L=15uHy、DCR=33m Ω
  • 适用于全桥的 CSD18540Q5B
  • TPS25750D 作为前一级
  • A BQ76942作为后级(BMS+BatteryPack)
  • MSPM0L1306作为主 MCU 控制器

进行充电过程、ILOAD 为2A (40V)时、曲线为4.77A 和20V。 芯片数据表表达的该剖面接近96%的效率。 有了这种损耗、我们估计功率为3.93W (包括 MOSFET、电感器、电容器、芯片和电阻器的 ESR)、 但理论和实现之间存在10W 的差异。

我应该如何进行? 以(4.77A*20V)*(芯片效率)作为输入功率,然后减去组件损耗? 因为我无法理解数据表中提到的效率是什么。

它指的是什么? 例如、如果我有理想的无损耗元件、如果给这个芯片100W、在输出口就可以得到96W 的功率。 这个功率差异在哪里解释? 或者芯片中的效率考虑了不同的组件功率损耗?

如果您需要、我可以将所有这些计算的内容与 python 脚本一起提供。

此致

尼古拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、数据表中的效率结果是基于我们对 EVM 的分析。 效率结果会受到输入和输出电压和电流以及所使用的无源器件(例如 FET、电感器、电容器等)的极大影响。 96%以上是基于我们的 EVM 而设计的、且具有所有实际组件。 如果您使用自己的不同组件、则会看到不同的结果。 请查看我们的设计计算器、它可用于进行精确计算、并提供所有需要的值、以便您为应用选择最适合的组件。

    www.ti.com/.../BQ25756-DESIGN-CALC