This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1337212/ucc21750-any-improved-version-of-ucc21750-gate-driver-model
UCC217xx 模型的改进版是否已发布？ 2023年6月请求提供了该文档、链接为：
e2e.ti.com/.../ucc21750-pspise-convergence-issue-when-using-two-21750-gate-drivers-to-drive-high-and-low-side-mosfets
大家好、
感谢您的联系。 我们的专家目前非常出色、我们将在本周结束时与您联系。
此致！
普拉蒂克
我做了一个新的模型。 您可以在这里尝试一下。
e2e.ti.com/.../UCC21750.zip
在使用 Wolfspeed FET 时我遇到了一些困难。 看来他们都是自己工作的,但不是一起工作。 我仍在尝试确定使用 FET 模型仿真可以增加多少额外的复杂性、并且仍然得到 PSPICE 仿真结果。
对于这款车型、您的主要需求是什么？ 我可能需要从大大简化的模型设计开始、以便取得一些收敛的结果。
此致、
肖恩
你好 Sean、感谢您分享这个模特！ 我是否也可以在 LTspice 中使用该模型？ 您是否能够使用此模型成功仿真基于 SiC MOSFET 的半桥？ 如果需要、您使用的是哪家公司的 SiC MOSFET？ 您是否试用过 ST 或 onsemi 的 SiC MOSFET？
没问题 AM、
是的、您可以在任何 SPICE 仿真器中使用它。 以下是用于此目的的原始网表： e2e.ti.com/.../1524.UCC21750.lib
PSpice 具有"Power NMOS"、它是 SPICE 3级模型：
.model power_Mbreak NMOS W=1 L=1U level=3 CBD=1E-9 RDS=1E+06 TT=1n VTO=3.0 + RD=0.1 CGSO=10E-3 RG=0.5 RS =1E-9 CGDO=100E-12
我的模型使用该 FET 模型、我可以在双脉冲测试中测试半桥。
如果您告诉我您正在使用的特定 FET 模型、我可以尝试看看我的模型是否可以正常工作。 我无法使用这些更复杂的 FET 模型将模型放入仿真中；我遇到了收敛问题。
