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[参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1热功率耗散计算

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1340437/lm5145-q1-lm5145-q1-thermal-power-dissipation-calculation

器件型号：LM5145-Q1

您好、先生！

我们在第一级电源设计中使用了 LM5145-Q1。  

VBAT=12V (典型值)、VOUT = 3.3V、IOUT = 14.4A、FSW = 250kHz、如何计算 IC LM5145-Q1的热仿真功率耗散？

我使用了 WEBENCH 进行仿真、有些功率损耗、但我不确定它的意义、请帮助说明其含义。 我可以使用哪个参数来说明 IC LM5145-Q1本身的功率耗散？

电源设计器(TI.com)

Br

辛西娅

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好 Cynthia：

    请您与我分享 WB 报告吗？  损耗说明位于右侧一列、所有这些仅是 HS 和 LS MOSFET 的功率耗散。

    谢谢。

    大卫。

  • 0
    TI__Guru**** 2380860 points
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    请查看 Webench 中的文件、等待您的反馈

    e2e.ti.com/.../2476.WBDesign31.pdfe2e.ti.com/.../WBOperatingValuesDesign31.csv

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    接下来、如何计算 LM5145-Q1本身的 IC 功率损耗？ 您是否有计算形式模板让我学习？

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    请参阅您随附的报告中的 IC 中的估计功率损耗。   

    计算方法为~ Qgtotal (顶部和底部 MSFET) x Fsw x VIN。

    总 Qg =总栅极电荷、fsw =开关频率、Vin 为输入电压。

    希望此帮助。