你好
我只是想确认一下。 这是一款即将投入生产的原型。
请参阅下面的屏幕转储。 L600是电感器、U600是 BQ25792。
U600和 L600放置在底层。
蓝色区域是开关节点、放置在 L3-Sig 上。 上一层为 L2-GND 实心平面 GND。 下一层是 L4-pwr 这是3.3V (处理器电压)固态层.
这是放置开关节点导体的好方法吗？ 否则、唯一的选择是底部(与元件 U600和 L600相同)。
是否有在3.3V 平面上引起噪声的风险？
请告诉我您的想法。
非常感谢您的帮助！！
尊敬的 Bjorn：
我们通常建议将 IC 置于顶部、将 GND 置于第2位、将 SW 布线置于第3位、如果可能、则将另一个 GND 置于第4位。 请翻转这些 PMID 和 SYS 0.1uF 电容器、使其连接到顶层的 IC GND 引脚。 否则、电流检测放大器中的开关噪声会限制转换器的功率。 产品说明书建议布局如下所示。 大容量电容器不一定需要在顶层靠近 IC、但通过减少过孔可以降低输出电压纹波和实现最佳瞬态响应。
此致、
杰夫
你好，Jeff
谢谢。
进行清除。 在此板上、U600和 L600安装在 BT 侧。
我想您的意思是电容器、U600和 L600应该在同一侧？
PMID 和 SYS 的0.1u 也是如此
C618是0.1uF SYS CAP。
C614和6161 10uF 系统电容器
C619是0.1uF PMID 电容器。
C615和 C617 10uF PMID 电容器。
顶端有一个针对 SYS 和 PMID 的额外10uF 电容器、由于空间...
这是 BT 侧并发生翻转(无镜像视图)
我想唯一的缺点是我们 L4上没有 GND 平面,它是3.3V 电源平面,但我想高 f 下的返回电流将只在 SW 布线所在的区域( Eddie 电流)? 还有其他缺点吗？
谢谢。
你好，Jeff
我不明白你的答案。
0.1uF 电容与 U600 (BQ25792)位于同一侧。 我已经在下图中标记了它们。 它们都放在底部( L8 )。
IC 的第一层为 GND (L7-GND)。 这适用于返回 GND 电流。 对吧？
请参阅我的第一个问题：
蓝色区域是开关节点、放置在 L3-Sig 上。 上一层为 L2-GND 实心平面 GND。 下一层是 L4-pwr 这是3.3V (处理器电压)固态层.
问题是、您是建议在开关节点布线下方的 L4-pwr 处有一个 GND 形状区域、还是应该保持原样？
谢谢
尊敬的 Bjorn：
EVM 顶层
底层、突出显示了接地铜切口
最好内层1的切口更大、
此致、
杰夫
