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[参考译文] CSD19533Q5A:用于辐射测试的 CSD 系列芯片差异

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19538Q2
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1342006/csd19533q5a-csd-family-die-differences-for-radiation-testing

器件型号:CSD19533Q5A
主题中讨论的其他器件:CSD19538Q2CSD

您好!

我们希望 了解 CSD19532Q5BT 和 CSD19538Q2 MOSFET 与 CSD19533Q5AT 之间的相似之处。 我们之前已对 CSD19533Q5AT 器件进行辐射测试、并想通过相似性鉴定其他两个 MOSFET。  CSD 系列 MOSFET 是否足够相似、以便对这些器件进行的辐射测试可以通过相似性进行资质认证?  

我们不需要知道任何专有信息、只需要查明不同的器件是否足够相似、我们就可以放弃对相关器件的测试。

感谢您的帮助!

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    您好 Kyle:

    感谢您关注 TI FET。 存在封装差异。 这些封装中的硅芯片对于指定的导通电阻具有不同的尺寸和宽高比。 它们都遵循相同的设计规则和相同的浇口结构(即生成相同的工艺)。 TI 从未对这些 FET 进行过任何辐射测试、因为它们是专为商业应用而设计的、并且 TI 无法保证在辐射测试下具有任何级别的性能。 我希望这对您有所帮助。 如果您有任何问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用