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[参考译文] LMG1210:查找有关特性的信息

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210, LMG3100R017
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1342343/lmg1210-inquiry-about-features

器件型号:LMG1210
主题中讨论的其他器件: LMG3100R017

您好

我想按照以下规格进行设计。

闸极驱动器:LMG1210

GaN MOSFET:EPC2071 https://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics/epc2071

电机规格

 -电机转速:2000 rpm (133.33 Hz)

-电机额定电流:12 [Arms]

-电机最大电流: 24至36 [Arms]

- PWM 开关频率:50 [kHz]

-输入电压:24-100 [Vdc]

4.问题(请参阅随附的 SCH)

 1) 1)使用栅极驱动器 IC (LMG1210)驱动 GaN FET (EPC2071)是否存在问题?

2)如果我应用 LMG3100R017而不是 EPC2071、是否必须使用 LMG1210? 请告诉我是否可以将其替换

3)我可以运行2个与 LMG1210并联的 GaN MOSFET 吗?

4)拉电流和灌电流不同的原因是否存在?

Thankse2e.ti.com/.../SIXPACK_5F00_LSmecapion.PPTX

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    嗨、David:

    感谢您关于 LMG1210的问题。

    LMG1210非常适合该应用并驱动 EPC2071。

    2.我不是 LMG3100R017专家、您需要创建一个关于该产品的主题、以针对该应用中的该产品、与 HVP-GaN 团队联系。

    LMG1210可以驱动两个并联的 FET。 对于 GaN 应用而言、布局至关重要、因此需要将它们尽可能靠近驱动器放置。 并联驱动 GaN FET 时、驱动器的性能优于集成式 FET 驱动器。

    4.由于此产品没有分离输出、因此针对软开关完成了拉电流和灌电流的差异。

    如果有任何其他问题、请告诉我。

    谢谢!

    威廉·摩尔