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[参考译文] TPS62932:内部 FET 的栅极电容## 39

Guru**** 1158090 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1342607/tps62932-gate-capacitance-of-the-internal-fet-s

器件型号:TPS62932

大家好、

我在 设计中使用了 TPS62932DRLR 降压转换器。 目前我正在进行热计算。 我请求您提供内部 FET 的总栅极电荷以及 CCM 和 DCM 中同步降压转换器的任何参考文档。 在数据表中、我无法找到内部 FET 的上升时间和下降时间、但我在 TI 论坛中找到了。 请告诉我、有没有公式可以从数据表中的给定参数、例如 FET 的 Ton 和 Toff、提取上升时间和下降时间。 我还发现 WEBENCH 中提到的热阻不同于数据表。 我已附上屏幕截图供您参考。

此致、

拉卢普拉萨德 G R

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,laluprasad

    很抱歉、内部 MOSFET 的栅极电荷/压摆率未分布。  

    有关热计算、请参阅 如何使用热指标正确评估结温(修订版 B)

    要 RθJA 热性能,您需要 IC 的功率损耗( PT )和热阻( R θ JA_EVM )。

     

     Δ Σ_EVM 在数据表中作为60.2 RθJA (如果布局不同、则可能与其他电路板有一些差异)。

    要获得 PT、可以使用 WEBENCH 工具、我们会根据测试结果计算功率损耗并进行关联、这非常可靠。

    谢谢、此致。