主题中讨论的其他器件:TPS25730、 TPS25730EVM、BQ25731-01、USB-PD-CHG-EVM、 BQ25792、 TPS25751
您好
我所面对的问题,与这两年 前的个案一样。 栅极电压不足以打开 NFET。 TPS25750S 配置为电源。 PD 供电方和受电方(TPS25730)之间已协商正确的9V PDO。 我可以看到栅极电压从0升高到大约5V、但由于 VSYS 总线为9V、为了使 FET 导通、栅极电压最多至少为10V。 栅极保持在5V 大约1秒、然后返回到接近0V。 在此期间、VBUS 会降至0V、因此、用电器件会重新启动、并在无限循环中启动。
我使用 MIKROE 的 MIKROE-5682模块作为测试平台、以测试 TPS25750S 和 用于散热器的 TPS25730EVM。 VSYS 由9V 供电。 我将一个 MCU 连接到 I2C 总线、并可以读取 TPS25750中的寄存器。
有什么 解决方法的想法吗?