[参考译文] LM5145EVM-HD-20A：仿真失败：第1部分中没有数据值忽略该部分。

您好 Anshuman：

建议在仿真中使用输出设备、并尝试使用这些设备运行仿真。  希望这对您有所帮助。

大卫。

您好 Anshuman：

分接器件是一种通用开关、可用于代替 MOSFET 模型。  如果使用这种方法，就会减少出现趋同问题的可能性。   

请参见下方的。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/988723/faq-pspice-for-ti-how-do-i-use-my-own-diode-bjt-mosfet-model-for-the-breakout-part-in-pspice-for-ti

希望这对您有所帮助。

大卫。

您好 Anshuman：

您可以尝试将栅极电阻器与 HS FET 的栅极串联、尝试使用3欧姆。  如果这不起作用、恐怕您必须还原为基本交换机。

建议使用 S1和 S2、并针对您要使用的 Rdson 进行调整。  由于存在收敛问题、使用 MOSFET 模型会产生较高的故障率。  IRF840具有较高的成功率。

我知道这并不完美、但为了运行模型、这是最有效的方法。

大卫。

非常感谢 David。
感谢您的帮助！