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[参考译文] BQ33100:无法更新数据闪存值

Guru**** 2534320 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ33100, EV2400

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1227623/bq33100-data-flash-values-cant-be-updated

器件型号:BQ33100
主题中讨论的其他器件: EV2400

我们使用与5个电容器连接的 BQ33100 EVM、并将 EV2400用于 PC 接口。 我们试图通过评估软件更改数据闪存值、例如 CB 阈值和 CB 最小值、但每次更新后闪存值都改回默认参数。 该器件处于 UNSEALED 模式。 我们尝试了更改器件固件、并尝试将闪存数据导入.gg 文件、  在更改参数后导回。 这也不起作用。 我这样做对吗? 是否有任何 更改闪存参数的过程。

电池组电压默认为10V 左右、闪存更新电压为4V。  

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    检查是否 存在安全状况。  我想不出任何其他情况。

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    您好!

    我们正在尝试解决此问题、但尚未成功。  未设置安全标志。 此外、我们尝试了更新新 EVM 板的闪存、该板中也仍然存在问题。  

    是否有任何特定的过程来更新闪存。 我们只是更新所需的值、并尝试使用 Write All 按钮来写入闪存。 在更新闪存之前是否需要执行任何命令或条件。

    我们在更新到最新的可用固件版本0、15后尝试更新闪存。

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    电压读数约为5V。 请检查连接是否施加了10V 电压