[参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1226725/csd87330q3d-csd87330q3d

器件型号：CSD87330Q3D

我们在设计中使用一个器件(器件型号 CSD87330Q3D)、我们需要该器件的热数据来进行热仿真

请提供此类器件的以下热性能详细信息、因为其数据表中缺少这些值

1. RThetaJA

2. RThetaJB

3. RThetaJC

4..功率耗散

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2330930 points

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Udesh、您好！

感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压 FET 选择工具来估算应用的功率损耗。如果您有任何困难、请回复我您的应用要求、我将帮助您估算功率损耗。

https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2330930 points

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您好

感谢您提供有关 Hercules MCU 的

还请帮助确认结温和工作温度。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2330930 points

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尊敬的 Udesh：

再次感谢您关注 TI FET。根据数据表中表5.1的规定、CSD87330Q3D 最大结温为150°C。同样、建议的最高工作结温为125°C、如数据表中的表5.2所示。应用中的实际性能取决于 PCB 布局和层叠以及包括环境温度和气流在内的热环境。作为一般经验法则、此封装能够实现大约2.1W 的最大功率耗散。我在下面提供了一些链接、这些链接可让您详细了解 TI MOSFET 产品的热阻抗、最大功耗和安全工作区。

此致、

约翰

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/selecting-the-right-power-mosfet-power-block-package-for-your-application

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/choosing-the-right-soa-for-your-design-discrete-fets-vs-power-blocks

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

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