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[参考译文] LM5146:WBench 电源设计器输出验证

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146, LM5145

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1348171/lm5146-wbench-power-designer-output-verification

器件型号:LM5146
主题中讨论的其他器件: LM5145

大家好、我使用了 WBench 工具、并在图1中收到了以下输出。 我的问题是-在器件列表中有 M1的数量2、这两个器件是否以并联方式连接、每个器件的栅极是否由 HO 驱动? (请参阅图2 Q1和 Q2)

图1:WBench 输出

图2:使用 WBench 输出的 Altium 设计

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    您好、Nicolas、

    是的、WEBENCH 根据您的规格(Vin、Vout、Iout、FSW)建议了两个并联的 FET。

    48V IN 至24V OUT 的占空比为50%、这意味着高侧 FET 导通的时间为开关周期的一半、并且与典型的48V 至12V 或48V 至5V 降压比相比、导通损耗更高。

    但是、当 Rt = 10kΩ 时、Fsw 看起来非常高、即1MHz、两个并联的 FET 提供更高的开关损耗。 我建议使用 LM5146快速启动文件来检查损耗并进一步改进设计-或许可以使用一个80V 高侧 FET (即、根据您的最高 Vin-max 规格、您可能不需要100V 的电压)并改用更合理的400kHz Fsw。

    此致、

    时间

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    尊敬的 Tim:  

    感谢您的快速响应和资源建议。 很遗憾、我的 Excel 云版本在加载快速入门工具时出现问题。 相反、我重新运行了 WBench 工具、并选择了"平衡"选项、而不是"小尺寸"。 这实际上给了我更小的占用空间、一个更少的 FET、以及255kHz 的 Fsw。 这似乎是一个改进、如果您对此有任何意见、请告诉我。

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    是的、看起来更好。

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    尊敬的 Tim:

    有关此主题的最后一些问题...希望保留在该主题中即可。

    关于 PCB 布局、我将尝试复制  LM5146数据表中的布局、但与参考设计相比、可用空间较小。 我将 IN/OUT 大容量电容器、FET 和电感器保留在顶层(红色)。 我将 LM5146及其外部元件放在电路板的底层(蓝色)。 我无法确定将 LM5146放置在电源组件下方的理想位置。 下面是几个选项:在 FET 下方或电感器下方。

    方案1:位于 FET 下方-优点:栅极驱动信号布线更短缺点:它正好位于主要噪声源的下方、但根据 LM5146中的读数、噪声应被电路板中的2个内部接地层阻止。

    方案2:在电感器下方-优点: LM5146远离有噪声的 FET;缺点:栅极驱动布线更长(~14mm 长)

    我倾向于选项1、但非常感谢您提供的任何意见。 请参见下面的参考图片。

    图1:选项1和选项2

    图2:方案1、将 LM5146和外部器件初步置于 FET 下方

    图3:方案1、其中 LM5146和外部器件初步置于电感器下方

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    您好、Nicolas、

    让我们来看看 LM5145 EVM、因为它是一款双面设计、下方具有控制器。 LM5145实际上是相同的控制器、只是将最大输入电压额定值降低为75V。

    此致、

    时间