主题中讨论的其他器件: LM5145
大家好、我使用了 WBench 工具、并在图1中收到了以下输出。 我的问题是-在器件列表中有 M1的数量2、这两个器件是否以并联方式连接、每个器件的栅极是否由 HO 驱动? (请参阅图2 Q1和 Q2)

图1:WBench 输出

图2:使用 WBench 输出的 Altium 设计
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您好、Nicolas、
是的、WEBENCH 根据您的规格(Vin、Vout、Iout、FSW)建议了两个并联的 FET。
48V IN 至24V OUT 的占空比为50%、这意味着高侧 FET 导通的时间为开关周期的一半、并且与典型的48V 至12V 或48V 至5V 降压比相比、导通损耗更高。
但是、当 Rt = 10kΩ 时、Fsw 看起来非常高、即1MHz、两个并联的 FET 提供更高的开关损耗。 我建议使用 LM5146快速启动文件来检查损耗并进一步改进设计-或许可以使用一个80V 高侧 FET (即、根据您的最高 Vin-max 规格、您可能不需要100V 的电压)并改用更合理的400kHz Fsw。
此致、
时间
尊敬的 Tim:
有关此主题的最后一些问题...希望保留在该主题中即可。
关于 PCB 布局、我将尝试复制 LM5146数据表中的布局、但与参考设计相比、可用空间较小。 我将 IN/OUT 大容量电容器、FET 和电感器保留在顶层(红色)。 我将 LM5146及其外部元件放在电路板的底层(蓝色)。 我无法确定将 LM5146放置在电源组件下方的理想位置。 下面是几个选项:在 FET 下方或电感器下方。
方案1:位于 FET 下方-优点:栅极驱动信号布线更短缺点:它正好位于主要噪声源的下方、但根据 LM5146中的读数、噪声应被电路板中的2个内部接地层阻止。
方案2:在电感器下方-优点: LM5146远离有噪声的 FET;缺点:栅极驱动布线更长(~14mm 长)
我倾向于选项1、但非常感谢您提供的任何意见。 请参见下面的参考图片。

图1:选项1和选项2

图2:方案1、将 LM5146和外部器件初步置于 FET 下方

图3:方案1、其中 LM5146和外部器件初步置于电感器下方