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[参考译文] TPS562200:关于 RC 缓冲器电路参数计算、我在 TI 应用手册中介绍了不同的说明。 您是否希望确认哪一个更合理?

Guru**** 2439710 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1349842/tps562200-regarding-the-parameter-calculation-of-rc-snubber-circuit-i-have-seen-different-descriptions-in-ti-application-manual-would-you-like-to-confirm-which-is-more-reasonable

器件型号:TPS562200

关于缓冲电路参数的计算、有以下几个问题、需要帮助说明:

第一个问题:我在 TI 的不同应用手册中看到了 Rsnb 值的不同说明。 您是否希望确认哪一个更合理? 什么是值逻辑?

①在√-ZHCA52的应用手册第3章缓冲器电路中提到了 Rsnb=Δ t LP/CP (LP 是寄生电感、Cp 是寄生电容);

②在 TI 应用手册-ZHCA658的第1.3节的缓冲器参数计算中提到 R≥0.5x√LP/CP;

此外、在 Rohm 的应用手册《降压转换器 IC 的缓冲器电路》中、发现缓冲器参数计算为 R=0.65x√LP/CP

第二个问题:关于 Csnb 的价值、我有以下几个问题:

① 2πf1Csnb 应用手册中的等式11 -ZHCA658提到1/Δ L=R/4、不明白这个公式是如何获得的?

②在 TI -ZHCAA52的应用手册中提到 Csnb=CADD=3xCp ,我也在 Rohm 的应用手册中看到 Cp 的值是1-4倍。 这里的逻辑是什么?

上述问题,已查阅了许多技术文档,其中大多数只写了结果,没有提到过程逻辑,也请帮助指出,谢谢!

相关文档:

https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/ic/power/switching_regulator/buck_snubber_app-e.pdf

https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhcaa52/zhcaa52.pdf?ts = 1711639516210&ref_url=https%253A%252F%252Fcn.bing.com%252F&_ticdt=MTcxMzE5MzkzMXwwMTdkMjQwYzI0M2EwMDExNWY0NDY2ZTg0M2EzMDUwNzIwMDE2MDZhMDA3ZTh8R0ExLjIuMTk4MDMxMTcyMi4xNjM2OTg3MzE3fG51bGx8bnVsbHxHUzEuMS4xNzEzMTkxNjQ4LjIyLjEuMTcxMzE5MzkzMS4wLjAuMHxudWxsfG51bGx8bnVsbA

https://www.ti.com/cn/lit/an/zhca658/zhca658.pdf?ts = 1710544725645

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    尊敬的 Jiang:

    抱歉我们的文档让您感到困惑。 缓冲器电路的目标是减少振荡。 因此、这些文档中的公式主要基于仿真或实验。 该文档指导您大致选择 R 和 C。然后、有必要对它们进行调整、以便在最佳性能和功率损耗之间进行权衡。 谢谢。

    此致、

    石屏市

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    感谢您的答复。

    在 ZHCA658中,公式11:1/ 2πf1Csnb =R/4,我不明白这个公式是如何获得的。 请帮我解释一下。  

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    尊敬的 Jiang:

    它是通过图5中显示的仿真结果获得的。 目标是使 Csnb 的阻抗远低于 Rsub。 谢谢。

    此致、

    石屏市