关于缓冲电路参数的计算、有以下几个问题、需要帮助说明:
第一个问题:我在 TI 的不同应用手册中看到了 Rsnb 值的不同说明。 您是否希望确认哪一个更合理? 什么是值逻辑?
①在√-ZHCA52的应用手册第3章缓冲器电路中提到了 Rsnb=Δ t LP/CP (LP 是寄生电感、Cp 是寄生电容);
②在 TI 应用手册-ZHCA658的第1.3节的缓冲器参数计算中提到 R≥0.5x√LP/CP;
此外、在 Rohm 的应用手册《降压转换器 IC 的缓冲器电路》中、发现缓冲器参数计算为 R=0.65x√LP/CP;
第二个问题:关于 Csnb 的价值、我有以下几个问题:
① 2πf1Csnb 应用手册中的等式11 -ZHCA658提到1/Δ L=R/4、不明白这个公式是如何获得的?
②在 TI -ZHCAA52的应用手册中提到 Csnb=CADD=3xCp ,我也在 Rohm 的应用手册中看到 Cp 的值是1-4倍。 这里的逻辑是什么?
上述问题,已查阅了许多技术文档,其中大多数只写了结果,没有提到过程逻辑,也请帮助指出,谢谢!
相关文档:
https://www.ti.com/cn/lit/an/zhca658/zhca658.pdf?ts = 1710544725645