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[参考译文] BQ76952:FET 控制

Guru**** 2456490 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76952

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1343093/bq76952-fet-control

器件型号:BQ76952

您好、TI 专家!

当我使用 bq76952控制 FET 时、我使用了低侧 FET。 当发生欠压保护时、CHG FET 似乎关断异常。 发生欠压保护时、器件会主动关断 DSG FET。 然后、主机使用命令关闭 CHG FET、但 CHG FET 先闭合、然后在中间打开。

示波器显示淡蓝色为 DCHG、粉色为 DDSG、该过程欠压、然后 CUV 延迟0x01、CHG FET 由主机使用命令闭合。

这是我的配置。

DCHG 0xA2;

DDSG 0xA2;

CFETOFF 0x02;

DFETOFF 0x02;

FET_CHG_PUMP_CONTROL 0x00;

想知道导致这种情况的原因以及如何解决问题?
期待您的回答、谢谢

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    您好、Zhang:

    在使用 DDSG/DCHG 引脚时、不应使用命令来控制 FET。 这可能就是您看到过它的原因。

    请参阅以下主题:

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/963339/bq76952-need-clarification-on-ddsg-and-dchg-operation

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好、Luis:

    感谢您的回答。

    我阅读了上面提供的链接、

    还有一些我不明白的事情、比如:

    1、如果我使用 DDSG 和 DCHG、我想使用主机发送命令来控制 FET 的关断和导通、这将如何运行?

    2、上述链接表明、当 DFETOFF 和 CFETOFF 配置为0x02时、FET 不应通过命令控制。 如果要通过命令控制 FET、则需要将 DFETOFF 和 CFETOFF 配置为0x00并将 ALERT 引脚设置为0x02。 ALERT 引脚是否用作 MCU 中断、以便可以使用命令控制 FET?

    因为我想使用主机发送命令、以便在使用低侧 FET 时控制 FET 的闭合和断开。

    期待您的回复。 谢谢!

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    您好、Zhang:

    E2E 主题明确指出、如果使用 DDSG/DCHG 进行 FET 控制、不建议使用命令

    博文中提到、要控制低侧 FET (由 DDSG/DCHG 控制)、应使用 DFETOFF/CFETOFF 并由 MCU 控制。 它指出不使用命令来控制 FET。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好、Luis:

    感谢您的回答。

    根据您所说的内容和我了解的内容、如果我使用低侧 FET、我将无法使用主机命令来控制 FET、只有器件本身可以控制它、 如果我要使用命令控制、我需要使用高侧 FET、理解吗? 或低侧 FET、我应该怎么做?
    另一个问题是 OCC 和 OCD 的步进单元为2mV。 如果我使用的电流电阻为0.125 mΩ、这是否意味着我的 OCC 精度为2/0.125 = 16A?
    期待您的回复,谢谢!

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    尊敬的 Zhang:

    Luis 不在办公室,直到周三(4/10),然后将能够回到你。

    感谢您的耐心。

    此致、

    马克斯·韦博肯

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    您好、Zhang:

    如果我想使用命令控件,我需要使用高侧 FET,这是理解吗? 或者低侧 FET、如果我可以使用命令、那么我应该怎么做?

    正确! 如果要使用命令控制、则需要使用高侧 FET。 您不能将与 DDSG/DCHG 引脚配合使用的命令用作低侧 FET。 如果要控制低侧 FET、则需要使用 CFETOFF 或 DFETOFF。

    另一个问题是 OCC 和 OCD 的步进单位是2mV。 如果我使用的电流电阻为0.125 mΩ、这是否意味着我的 OCC 精度为2/0.125 = 16A?

    您希望保护功能在多大的电流下触发? 对于 OCC/OCD 电流保护、使用了一个比较器。当设置小于20mV 时、比较器的精度约为~2mV。 对于0.125m Ω 检测电阻、这将是16A、正确。 对于 SCD、精度规格这是理想阈值的百分比。

    这些是此保护的限值、因此我们保证它不会比此更糟糕、但在实践中、此误差可能要小得多。 有关这一点、您可以参阅  图7-15. 放电过流保护1 (OCD1)阈值与温度之间的关系 和  图7-16. 充电过流保护(OCC)阈值与温度之间的关系 数据表

    请记住、这些是保护规范。 实际测量使用 ADC。 其 LSB 为 7.6µV μ V。 使用0.125m Ω 检测电阻时、对于 0.125m Ω 电阻器、电流分辨率为7.6µV μ A/0.125m Ω= 60.8mA。 这是在本例中可以测量的最小电流。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好、Luis:

    感谢您的回答。 至于 OCC 和 OCD 的阈值设置范围、我知道0.125m Ω 的检测电阻的精度为2/0.125 = 16A、因此如果我要将 OCC 的阈值设置为8A 或10A、我将 OCC 的配置阈值写入1。 事实上、在配置完成后、OCC 阈值为16A、因此我将无法获得我需要的8A 或10A OCC 阈值、因为 OCC 精度为16A、只能设置16A 或32A 或更高、这种理解是否正确?

    谢谢!

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    您好、Zhang:

    是的、我认为是正确的。  

    通常、当客户使用这种低感应电阻值时、他们需要非常高的放电电流。 我感到惊讶的是、您需要这样低的电阻、同时具有如此小的电流保护。

    如果您希望在较低的电流电平下提供电流保护、我建议将感应电阻器值增加到更高的值、例如1m Ω。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好,Luis,ó n

    感谢您的回答。

    现在、我们的 OCC 阈值需要60A、OCD 阈值需要210A、因此您可能需要这样的小电流电阻、

    这是我获得的最新示波器波形。 出现在 CUV 中后、DDSG 和 DCHG 由命令控制、然后 CHG FET 不断打开和关闭。 这是否也是使用命令控制低侧 FET 导致的

    谢谢!

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    您好、Zhang:

    驱动器、这更有意义。 借助1m Ω 的传感电阻器、您可以精确地处理高达200A 的电流。 您是否预计电流高于此值?

    您甚至可以使用0.5m Ω 的感应电阻器来处理高达400A 的电流。 这比使用0.125m Ω 的感应电阻器更为精确。

    这是我获得的最新示波器波形。 出现在 CUV 中后、DDSG 和 DCHG 由命令控制、然后 CHG FET 不断打开和关闭。 这也是使用命令控制低侧 FET 导致的吗

    这是可能的。 我们不建议在通过 DDSG/DCHG 引脚控制低侧 FET 时使用 FET 命令。 技术参考手册中对此进行了详细介绍。 这一较旧的 E2E 还详细解释了为何 DDSG/DCHG 不应与 FET 命令一同使用:

    如果要使用 MCU 控制低侧 FET、应改用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好,Luis,ó n

    我想了解一下"如果您想使用 MCU 控制低侧 FET、则应改用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚"的含义

    并仔细阅读您提供的链接,现在有几个问题。

    1、MCU 是否指 BQ? 或者它们是指 STM32等其他器件?

    2"改为使用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚"、这意味着如果我需要使用 MCU 来控制低侧 FET、那么我需要使用 CFETOFF、同时将 DFETOFF 引脚配置为0x02和 DDSG 关闭、并将 DCHG 引脚配置为0x00?

    3、如果要使用 FET 的命令控制、是否需要使用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚来代替 DDSG 和 DCHG? 或者、只要使用低测试 FET、在任何一种情况下都不能使用命令控制、而只能由 BQ 器件进行自我控制吗?

    期待您的回复,谢谢!

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    您好、Zhang:

    1、MCU 是指 BQ 吗? 还是指 STM32等其他设备?

    MCU 是指主机 MCU、如 STM32、而不是 BQ 器件。

    2、"改用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚"、这意味着如果我需要使用 MCU 来控制低侧 FET、那么我需要使用 CFETOFF、并配置 DFETOFF 引脚0x02和 DDSG off、并配置 DCHG 引脚[0x00]

    否。 DDSG 和 DCHG 引脚需要针对 FET 控制进行配置、因此它们需要针对 DDSG 和 DCHG 进行配置。 如果它是0x00、则不会生效。 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚配置为输入。 当设置了它们时、FET 将关断。

    3、如果要使用 FET 的命令控制、我是否需要使用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚而不是 DDSG 和 DCHG? 还是只要使用低电平测试 FET、在任何一种情况下都无法使用命令控制、而只有 BQ 器件可以自行控制?

    否、CFETOFF/DFETOFF 是控制 DSG/CHG 或 DDSG/DCHG 引脚的输入。 在这里、可以将 DDSG/DCHG 配置为自主控制、也可以由主机 MCU 关闭。

    希望这清除了事情. 如果您还有其他问题、请告诉我。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好,Luis,ó n

    您提到"CFETOFF/DFETOFF 是控制 DSG/CHG 或 DDSG/DCHG 引脚的输入。 在这里、可以配置 DDSG/DCHG 进行自主控制、也可以由主机 MCU 将其关闭。"

    1、在 低侧 使用 FET、DEETOFF、CFETOFF 和 DDSG、DCHG 时、如何配置这四个引脚? 它们都设置为0x02、对吧?

    2、您的意思是只能使用主机来控制 FET 的关断操作、而不能控制 FET 的开路操作吗? 主机控制是通过命令还是其他方式实现的? 您能这样告诉我吗? 因为我不太了解数据手册中的说明。

    谢谢!

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    您好、Zhang:

    CFETOFF/DFETOFF 可以配置为0x02、正如您之前建议的那样。 需要为低侧 FET 控制配置 DDSG/DCHG。 下面提供了有关该主题的常见问题解答:

    FET 需要配置为保持导通、然后 可以使用向 CFETOFF/DFETOFF 发送的逻辑高电平信号来关断 FET。 要重新导通 FET、只需为 CFETOFF/DFETOFF 具有逻辑低电平信号。  

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好,Luis,ó n

    DCHG,DDSG 设置0xA2、

    DFETOFF、CFETOFF 设置0x02、

    FET_CHG_PUMP_CTR 设置0x00、

    FET_OPTIONS 设置0x0E、

    这种配置是否正确?

    是否可以说"您只需要向 CFETOFF/DFETOFF 具有逻辑低电平信号"、低电平信号是否使用 CFETOFF、DFETOFF 引脚生成其自己的高电平和低电平、或者它是否使用外部为 DFETOFF、CFETOFF 引脚提供高电平和低电平信号?

    配置完成后、FET 不受命令控制、而是由 CFETOFF、DFETOFF 引脚控制、以控制 FET 的打开和关闭。 是这样吗?

    谢谢!

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    您好、Zhang:

    不会、它不会生成自己的信号、CFETOFF/DFETOFF 由外部信号控制、外部信号通常来自主机 MCU。

    您需要哪种配置? 是否要手动控制 FET? 还是希望完全控制它们?

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    您好,Luis,ó n

    是的、我想在需要时对其进行控制、例如在没有保护的情况下将其关闭或打开。 根据我的理解、我按如上所述配置这些引脚、然后、当我想关断 FET 时、我需要给 CFETOFF、DFETOFF 一个高电平、比如3.3V 来关断或导通、对吧?

    谢谢!

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    您好、Zhang:

    正确、您需要施加3.3V 等高电平信号来关断 FET。 要导通 FET、您只需施加一个低电平信号、例如用于导通的0V 信号。

    我认为 CFETOFF/DFETOFF 引脚也可以配置为低电平有效或高电平有效、因此也可以对其进行配置、以便低信号(如0V)可以关断 FET、3.3V 信号可以关断 FET。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙