• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 1 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 3 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5069：电源管理部分-外部 FET 的源极或漏极侧1uF？

admin
Guru**** 1139930 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069, LM5066
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1351171/lm5069-power-management-section---1uf-on-source-or-drain-side-of-external-fet

器件型号：LM5069
主题中讨论的其他器件： LM5066

您好、团队成员：  

LM5066和 LM5069数据表 在其数据表的"电源建议"部分 提供了非常类似的建议、通过放置1uF 电容器来降低某些应用中瞬态期间的共模电压。 5066建议将其放置在 FET 源极和 GND 之间、LM5069建议将其放置在 FET 漏极和 GND 之间。 是否均可接受？ 如果没有、它们有何不同？

非常感谢！

  • 0
    TI__Guru**** 1139930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Stephanie：

     由于 VIN = VOUT、当 FET 导通时、这两个选项具有相同的效果、可以降低共模噪声。 当 FET 关断(即系统关断)时、在漏极侧使用更有效。

    Br、

    勒凯什