[参考译文] LM5148：HO、LO MOSFET 和电感器在连接负载后会被加热。此外、开关和 HO 波形在高负载

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Other Parts Discussed in Thread: LM25149, LM5145, LM5149, LM5148

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1348281/lm5148-ho-lo-mosfet-and-inductor-is-getting-heated-after-connecting-a-load-also-switching-and-ho-waveform-is-distorted

器件型号：LM5148
主题中讨论的其他器件：LM5145、 LM5149、LM25149

你好

我已经设计了符合以下规格的直流/直流降压转换器

输入电压15V 至80V

输出电压：12V 10A

连接7.8A 负载后、开关的波形和 HO 的波形全都混乱、如图所示。随之、HO 和 LO MOSFET 以及电感器会变得很热、电感器会产生大量噪声。您能帮我解决这个问题吗？我已经包含了原理图和 PCB 布局文件。另外、我将为 HO 和 LO 以及 SRP1265A-6R8M 电感器使用 IAUC28N08S5L230 MOSFET。

e2e.ti.com/.../8508.RM_2D00_004_2D00_V_2D00_01.SchDoce2e.ti.com/.../2313.RM_2D00_004_2D00_V_2D00_01.PcbDoc

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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你好

调整 Cboot (C20)电容器和 R10电阻器的值后、我在7.8A 的负载下成功获得了清晰的 PWM 波形、如下图所示。但是、尽管进行了这些调整、但在连接7.8A 负载时 MOSFET 仍会出现明显发热。值得注意的是、在此负载下、电感器发热保持相对较低。主要问题在于高侧(HO)和低侧(LO) MOSFET 在连接负载后过热。非常感谢您协助解决这一问题。在下图中、黄色是低侧 MOSFET (LO)、蓝色是高侧 MOSFET (HO)。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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您好 Sanjana：

请填写设计计算器中的您的规格、以便我可以对照它来检查原理图。谢谢。

e2e.ti.com/.../3515.LM5148_2D00_LM25148-Quickstart-Calculator.xlsm

大卫。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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David 您好！

附件是设计计算器、供您参考。请回顾一下、并让我知道为什么 MOSFET 位于 heating.e2e.ti.com/.../0844.RM_2D00_004_2D00_V_2D00_00-calculator.xlsm

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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尊敬的 Sanjana：

只需查看快速启动、10A 满载时高侧 FET 功率损耗为2W。确保此处没有栅极电阻器来降低开关速度、因为这将使热情况加剧。

另外，快速入门提到了低侧 FET IAUC70N08S5N074ATMA1——因为它不是一个逻辑电平器件，所以在这里肯定不起作用。 Rdson 的额定值必须为 Vgs = 4.5V 适合与具有5V 栅极驱动的 PWM 控制器配合使用。 FET 器件型号中的后缀"L"通常表示逻辑电平(请以高侧 FET 为例)。

查看此 EVM 以了解更多信息： https://www.ti.com/tool/LM5149-Q1EVM-400、因为12V/8A/400kHz 的规格与您的设计类似。此外、请遵循应用手册、 SNVA803 布局指南以及控制器数据表中提供的布局指南。

PS：将分流电阻减少到4mΩ、因为5mΩ 将 OCP 设置得太紧。此外、Bourns 电感器也不是很好-请查看 Wurth WE-LHMI 744373965047电感器、如 LM5145数据表电路示例2中所用： https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5145.pdf#page=43。

此致、

时间

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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Timothy 你好

感谢您的指导。

根据你们的指导、对于高侧和低侧器件型号 IAUC28N08S5L230、我使用了相同的 MOSFET。但是、在并联两侧同一个 MOSFET (2个用于 HO 的 MOSFET 和2个用于 LO 的 MOSFET 并联以解决负载 MOSFET 的发热问题)时、当负载超过3A 时、我遇到了低侧栅极波形问题。具体而言、与高侧 MOSFET 栅极波形不同、低侧 MOSFET 栅极波形会出现失真。您能否提供有关如何解决此问题的帮助？下面附上了波形的图像、黄色代表低侧 MOSFET 栅极波形、蓝色代表高侧 MOSFET。

栅极波形。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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尊敬的 Sanjana：

不确定此处的 LO 波形会发生什么情况、但您不应该在10A 时并联 FET。选择正确的 RDSon FET 即可。您是否已注意到 LM5149 EVM 中的元件？这看起来是一个可以复制的好 BOM。

为您的设计发送完整的快速入门文件、以便我进行审查。

时间

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2394295 points

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Timothy 你好

我目前正在检查 LM5149 EVM 中的元件。据此、我能否在直流/直流转换器中使用以下 MOSFET 来解决 MOSFET 的发热问题： MOSFET：NVMFS6H848NLT1G 和 NVMFS6H858NLT1G 。您能否详细说明选择 MOSFET 的过程？我知道拥有低 RDS (ON)对于更大限度地减少 MOSFET 发热至关重要、但我也希望能够深入了解如何根据 Qg、导通时间、关断时间和其他相关因素等参数选择 MOSFET。您能解释一下如何为直流/直流转换器选择 MOSFET、以及我应该优先选择哪些参数吗？我可以使用 NVMFS6H848NLT1G 用于 HO 和 LO 的 MOSFET、因为它具有低的 RDS (ON)？此外、了解每个参数如何影响直流/直流转换器的性能也很有帮助。

您会为直流/直流降压转换器推荐 MOSFET 吗？

我附上原理图、PCB 布局和快速入门计算器以供您参考。请查看该视频并帮助我解决 MOSFET 发热问题。