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[参考译文] UCC24630:UCC24630死区时间

Guru**** 1777770 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24630, UCC24612
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1350764/ucc24630-ucc24630-dead-time

器件型号:UCC24630
主题中讨论的其他器件: UCC24612

您好!

我的客户将 UCC24630用于 ACF 反激式和次级侧高侧。

他们发现、在高/低交流输入电压下、死区时间会形成2us~0.5us、因此电流会流过 MOSFET 的体二极管太长时间、导致 MOS 变得很热。

我们必须将 Rtblk 从22k 更  改为47k、但它无法正常工作。 这一现象还有其他原因吗?

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    您好!

    100 pF 的 C21可能是导致延迟的原因。  我建议减小该电容器。  看看情况是否有所改善。

    您可能还需要检查 VSC 和 VPC 分频器以查看它们是否设置正确。

    以下链接将带您进入应用手册、该应用手册应该可以帮助您完成此操作。

    https://www.ti.com/lit/an/slua861/slua861.pdf

    此致、

      

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    客户删除100P 后、他发现情况仍然相同、在参阅 SLUA861应用报告后无法改善。 还有其他可能的原因吗? 谢谢
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    Shao,

    我们需要一些时间进行调查。 与此同时、您能解释一下为什么您对 ACF 使用 UCC24630、而不是 UCC24612?

    谢谢。