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器件型号：LM74900-Q1 您好！
大家好！！
我当前计划使用 LM74900QRGERQ1、从数据表中得知、这具有低 IQ 关断模式、 通过禁用 D-GATE 和 H-GATE MOSFET 有助于实现低电流消耗。 但我们的系统中有些电路块即使我们计划进入停机模式、也始终需要电源、因此、如果我们针对所有情况轻触输出"VOUT_2"、则关键模块将无法获得电源 (即直流/直流转换器和 CAN -最坏情况下需要约1.5A 电流)。
我们计划使用 N-MOSFET： NVTFS5C670NLWFTAG (如果我们计划在关断模式期间使用"VOUT_1"、则体二极管也可用于处理预期的电流量)
那么、在第一个 MOSFET 之后并添加"VOUT_1"、同时添加 大容量电容以便在器件的正常和关断工作模式下仅为上述常开电路块供电是否可以？
这真的意味着很多,如果你可以让我知道这一点,非常感谢你的时间!!
此致、
维内特
