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[参考译文] BQ34Z100EVM:数据闪存内容

Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1215992/bq34z100evm-data-flash-content

器件型号:BQ34Z100EVM
主题中讨论的其他器件:BQ34Z100

您好!  

我正在使用 BQ34Z100 EVM 板、当我加载数据闪存子类 ID 48的内容时、其内容没有按照 bq34z100和 bq34z100-g 的数据表中描述的方式进行组织

例如、偏移11处的设计容量存储在偏移21处、 电芯充电电压 T1-T2和 T2-T3则存储在偏移28-29 30-31处。

te 子类 ID48的所有数据都将移位10个字节。

直到现在,我没有看到其他子类的另一个问题。

您能理解发生了什么吗?

如果它能提供帮助,CONTROL 命令将返回以下数据:

设备类型:0x0100

FW_Version:0x0006

DF_VERSION:0x0000

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      每个子类的起始地址由编译器和链接器确定、您能解释一下如何识别子类48的起始地址吗?

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    如数据表中所述,使用 DataFlashClass()可以访问寄存器子类。

    然后,为了读取 spoecifc 偏移,我使用地址0x40+mod(offset,32),允许访问子类在 spefic 偏移处的数据,就像在我之前的屏幕上一样。

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      我发现 DesignCapacity 确实位于 TRM 中指定的偏移处、即11、

      我发送0x30 00到0x3E、然后从0x3E 读回34个字节、设计容量为1000、即十六进制中的0x03E8、您可以看到该数据位于数据0x0E 的偏移11处、读回块中的第三个字节

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    周老师、您好!  

    相关信息、我尝试阅读了基于我自己的硬件设计的电量监测计配置、DataFlash 内容对应于数据表的默认值。 问题似乎来自监测计配置的评估模块。