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器件型号：LM5122 您好！
我们将使用 LM5122Z 作为升压转换器、以在最高 0.8A (大约50W 输出功率)、对应于18-33V (典型值)之间的输入电压范围12 - 40V (紧急状态持续数十秒)。 开关频率约为210kHz。 总体来看、这个设计还是不错的。 不过、我们观察到 低侧 MOSFET (开关)的温升为大约29K、已在大约32W 的设置输出功率下。 低侧和高侧 MOSFET 是 Infineon 的 BSC160N10NS3类型、采用 PPAK-56封装。 在我们的实际设计中、有10欧姆的栅极串联电阻器。 我已经看到数据表中根本没有采用栅极串联电阻器。 我有以下问题：
- TI 建议将什么作为栅极串联电阻器？ 栅极电阻器增加了 MOSFET 的开关损耗、但减少了 MOSFET 栅极的振铃。 但是、开关功率损耗的增加对我来说并不明显(并且很难计算)。
- 我们是否可以针对低侧 MOSFET 直接并联两个 MOSFET、仅使用一个即可消除专用热点？ 如果两个晶体管之间的等电流共享并联、我们是否必须考虑任何情况？ MOSFET 驱动器是否能够驱动多个并联的 MOSFET？ 根据 WebBench 的一些试验、似乎可以并联两个或更多个 MOSFET。
- 对于 MOSFET 选择动态参数(QG、GGS、QGD)、尤其是在两个 MOSFET 并联的配置情况下、有何建议？
提前感谢！
安德烈亚斯·N.
