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[参考译文] BQ21080:NCT 范围和参考设计

Guru**** 1807890 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ21080, BQ25180EVM, BQ27427, BQ25180, BQ2980, CSD13385F5
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1220948/bq21080-nct-range-and-reference-design

器件型号:BQ21080
主题中讨论的其他器件: BQ25180EVMBQ27427BQ25180BQ2980CSD13385F5

团队、您好!

我对 BQ21080有一些疑问。 我还在另外几个设备工作、以保护和读取电池数据。 您能否确认此原理图看起来是否正常?

我还想知道、对于 NTC、NTC 的正确范围是多少? 我在数据表上找不到它。 您能否分享一下参考设计? 无法找到此器件的任何 EVM。  

此致

弗朗西

斯科
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    尊敬的 Francisco:

    应将 TS/MR 电压范围保持在已编程的 TS 阈值之间、这样对于大多数情况下、TS HOT 和 TS COLD 阈值都很重要。 因此、我确实有一个问题、那就是100k 上拉至1.8V 以及 TS/MR 引脚上的电容器。 它有预期用途吗? 这是一个基于电流的 TS 充电器、因此不需要电压上拉;只需要一个 NTC 与按钮一同使用。 对于 NTC、我们建议使用103AT-2 10k NTC。  

    BQ25180EVM 相同。 如果您想尝试 BQ21080、建议您先取出 BQ25180EVM、然后更换 IC。 对于 BQ29801、您需要创建与此相关的其他主题。

    此致、

    安东尼·范

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    您好、Anthony、  

    非常感谢您的反馈。 100k 电阻器的目标是由 uC 进行额外控制。 我想通过按钮和 uC 进行选择。 那么、您建议更改 IC 吗? 还是仅用于参考设计?  

    BQ27427会怎样? 是否需要另一个 TT?

    谢谢!

    弗朗西

    斯科
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    另外、NTC 是一个穿孔组件、您没有 SMD 吗?

    此致

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Francisco:

    这仍然会干扰运行的 TS 部分、因为它可能会看到1.8V、这超出了有效充电范围。  

    如果您希望使用 MCU 也进行按钮活动、建议通过驱动 FET 来驱动 TS/MR、从而将 TS/MR 与 NTC 和按钮并联。  

    下面是指向许多 SMD 热敏电阻组件的链接、具有相同的 β 值: 10k Ω SMD/SMT 1 % NTC 热敏电阻–Mouser

    此致、

    安东尼·范

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    尊敬的 Anthony:  

    那么、您的意思是在没有任何上拉的情况下只能并联添加 CHN MOSFET 吗? 我想这应该是内部的。 另一方面、您是否建议使用  BQ25180?

    此致

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Anthony:

    您知道有人可以帮助建立完整的连接吗? 我要确保"All Power"部分是正确的。

    此致

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Anthony:

    您知道有人可以帮助建立完整的连接吗? 我要确保"All Power"部分是正确的。

    此致

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Francisco:

    是的、我是说您不能直接将 TS/MR 引脚连接到逻辑电压。 TS/MR 按钮功能为低电平有效。 预期值等概念。  

    BQ25180是我们最新的器件之一、集成了具有运输模式和关断模式的1A 电源路径充电器-这是我们的线性1A 产品系列中消耗电流的最低模式。 它具有高度可配置性、因此您可以通过它在充电方面进行许多富有创意的操作。  

    此致、

    安东尼·范

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    我只是 BQ25180的专家。 一旦我们在这里完成工作、我就可以将这个问题转交给相关工程师。 如果你对我在线程中分享的电路感到满意、我可以把它讲下去。

    此致、

    安东尼·范

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    尊敬的 Anthony:  

    感谢您的反馈。 这是最终版本

     

    如果您同意、让我们继续与您的合作伙伴共享该设计。  

    谢谢

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Francisco:

    这看起来更好、但 TS/MR 引脚上的电容器也不需要。 如果您要在电量监测计上使用 NTC、请将电容器替换为10k 电阻器。 请注意、除非 TS/MR 引脚上有 NTC、否则您不会具有来自 BQ25180的任何电池温度感应。 如果您在电量监测计上有一个接口、那么如果需要针对电池充电的 JEITA、则需要配置软件。

    对于原理图的 BQ25180部分的其余部分、我确实注意到了另外一个项目。 C1电容器的值需设置为  至少1uF 。 您目前拥有100nF。  

    一旦这些更改、我就可以继续传递。

    此致、

    安东尼·范

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    尊敬的 Anthony:

    感谢您的反馈。

    好的、我曾考虑不要添加 NTC、但我会。 如果是电容器、则位于完整原理图的另一侧、此部分仅是电池管理部分。  

    我主要关心的是其他 IC 之间的互连。 我想100%确保互连正确进行。

    此致

    弗朗西

    斯科
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    仅供参考、VDDIN 电容为10uF 和1uF

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    尊敬的 Francisco:

    该电容器位于原理图的另一侧。 您是指 PCB 吗?

    我的问题是、 如果按下按钮或 N 沟道 FET 未开启、它最终会被充电、并且它的充电速度可能不足以使电压处于有效充电范围内。  电容器有没有用途?

    好了,我当时考虑不要添加 NTC,但我将[/报价]

    这不是必需的。 我误读了电量监测计上的器件、认为它有一个用于 NTC 的引脚。 我要道歉 如前所述、您可以在此处使用10k 电阻器、但我主要关心的是100nF 电容器。  

    如果您不想在那里安装电阻器、可以禁用 TS_AUTO 功能、但我无法通过存在电容器来保证按钮功能、因为这超出了数据表中所述的操作范围。  

    此致、

    安东尼·范

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    您好,Anthony

    我之前讨论的是电源引脚上的 C1、因此、我在原理图的另一节中有与 C1并联的其他电容器。 C 呢? 是我要用 NTC 替换的电容器。

    我将使用 NTC。  

    此致

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Francisco:

    这里看起来不错、 现在、我将把这个主题转发给电量监测计团队中负责电量监测计部分的人员。  

    另请务必设置标识符、以避免在原理图上造成混淆、从而便于查看。 TY

    此致、

    安东尼·范

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    尊敬的 Francisco:

    电量监测计团队告诉我、电量监测计部分看上去一切正常。 我们正在等待电池保护器团队的某个人。  

    此致、

    安东尼·范

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    您好、Francisco:

    该原理图对于 BQ298018而言看起来很好。

    如果未使用 CTR、可将其直接连接到原理图的 GND/PACK-。

    另一个可能的建议是电池电压低于 V0INH (小于1V)。 如果这是可能的、我们建议向 CHG FET 添加一个50M Ω 至100M Ω 的栅源电阻器。 对此进行了说明。 第8.3.9节 ZVCHG (0V 充电) 数据表。 但是、如果不希望电池达到这么低的电压、则不必如此。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    你好,Luis!

    非常感谢您的反馈。 计划不会太低。  

    另一方面、我使用了这些 MOS 晶体管、您能否确认一下是否可行?

    rocelec.widen.net/.../FAIR-S-A0000571472-1.pdf

    此致

    弗朗西

    斯科
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    您好、Francisco:  

    对于 BQ2980、这看起来是一个很好的 FET。 似乎它具有几个欧姆的 RDS (ON)电阻。 如果你对这个电阻是好的,它应该是好的.  

    我们看到 正在使用的另一个 FET 包括 CSD13385F5或  EFC8811R (我们在 EVM 中使用它)。

    但你有的那一个应该是可以的!

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    非常感谢、Anthony、只有最后一个问题、您能否确认1.8V 到 I2C 和 int 是否适用?

    此致

    弗朗西

    斯科
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    尊敬的 Francisco:

    对于 BQ21080、是的、1.8V 没问题。  

    此致、

    安东尼·范

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    感谢您发送编修。 最后一点、我在 EVM 中看到 GND 连接到所有 GND 连接的电池侧。 那么、应该是这样吗?  

    这是我的电流配置、GND 连接在小电阻器之后。

    此致

    弗朗西

    斯科
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    只是为了说明一下、我一直在讨论用于连接 BQ2980上所有器件的 GNDBatt (用于我的原理图上的参考)。 我的理解是系统的 GND 将是我的 GND、但数据表中的 EVM 原理图和基准让我感到困惑。 您能否说明一下接地连接?  

    此致

    弗朗西

    斯科
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    您好、Francisco:

    对于 IC 接地和元件接地、我们通常连接到 IC 电池接地(原理图为 GNDBatt)。 我们通常还使用网络连接或0欧姆电阻器将 BAT-连接到 VSS、这只是为了将高电流路径与低电流路径相隔离。  

    对于1s 应用、我不认为接地位置的差异过大、尤其是因为电流不会太高。  

    下面是一个较旧的 E2E、其中讨论了您为什么要选择一个接地侧而不是另一个接地侧:

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823905/bq76930-bat---or-pack---or-other-ways-to-connect-gnd

    请记住、这是为了使用我们用于更高电流系统的监控器。

    希望这对您有所帮助!  

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙