您好、专家!
对于这位客户的以下疑问、我们需要您的帮助。
因为他们想了解更多有关 LMG1210 -高速栅极驱动器的信息。 我可以看到此驱动器支持高达50MHz 的开关速度。 对于自举电路、如果以最大额定开关速度运行、自举二极管的推荐器件是什么?
在数据表中、对于非常短的导通时间、建议使用同步自举、如果我们希望使用二极管、可以使用它吗? 哪款器件更合适?
如果您需要客户提供任何其他信息、请告诉我。
提前感谢您。
此致、
乔纳森
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您好、专家!
对于这位客户的以下疑问、我们需要您的帮助。
因为他们想了解更多有关 LMG1210 -高速栅极驱动器的信息。 我可以看到此驱动器支持高达50MHz 的开关速度。 对于自举电路、如果以最大额定开关速度运行、自举二极管的推荐器件是什么?
在数据表中、对于非常短的导通时间、建议使用同步自举、如果我们希望使用二极管、可以使用它吗? 哪款器件更合适?
如果您需要客户提供任何其他信息、请告诉我。
提前感谢您。
此致、
乔纳森
尊敬的 Jonathan:
感谢您与我们联系! 您将需要使用具有低正向压降和低结电容的肖特基二极管。 选择的二极管应能够在启动时处理峰值瞬态电流、并且额定电压高于直流链路电压、并针对过冲留有一定的裕度。 该二极管必须能够足够快地反向偏置、以阻止从引导电容器流入 VDD 电源的电荷。
50 MHz 是否是此应用的目标开关频率? 此外、您是否能够分享更多有关最终应用的信息? 实际上、该团队提供了一些有关 使用 LMG1210驱动器通过死区时间控制优化效率的内容、以及可用于帮助尽可能缩短死区时间和实现更高开关频率的技术。
如果您有任何问题、敬请告知!
此致!
亚历克斯·韦弗
尊敬的 Alex:
感谢您的支持。 以下是客户的跟进问题。
是的、目标是在器件(LMG1210)的最大额定频率范围内使用。 但是、您的信息很有用、我找不到一个恢复时间小于2-3ns 且可以处理高达1A 峰值电流的快速二极管。
但是、如果您有一些推荐的二极管器件、可在器件 LMG1210的最大额定频率下配合使用、这将有所帮助(可能来自 TI 产品系列或其他制造商)。
此致、
乔纳森
尊敬的 Jonathan:
您计划以何种总线电压操作器件? 此外、您期望什么占空比? 这些信息将帮助团队更好地了解您的电路。
LMG1210 EVM 使用 BAT46WJ 肖特基二极管、这将为您的搜索提供帮助。 EVM 的实际额定值为15MHz、但提到 EPC2001 GaN FET 是一个较大的 FET (高 Qg)并限制了 EVM 的开关频率:

除了通过死区时间控制文档优化效率之外、该团队还提供了有关 优化多 MHz 栅极驱动器设计的文档。 本文档的第3页和第4页讨论了反向恢复以及肖特基二极管以及 PN 结二极管的一些折衷和注意事项。
如果您有任何其他问题、敬请告知!
此致!
亚历克斯·韦弗
尊敬的 Jonathan:
下图展示了 LMG1210EVM 在50%占空比、50MHz 且无总线电压时进行开关的情况:

我无法保证肖特基二极管的性能、但波形有助于捕捉 EVM BAT46WJ 二极管的功能。 如前所述、选择 具有低正向压降和低结电容的肖特基二极管以及遵循"优化多 MHz 栅极驱动器设计"一文中的指南有助于最大限度地提高开关频率能力。
此致!
亚历克斯·韦弗