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[参考译文] TPS7A74:偏置电压

Guru**** 2552360 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7A74

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1217235/tps7a74-bias-voltage

器件型号:TPS7A74

大家好、

1.较低的偏置电压是否会导致较低的功耗?

2.我的客户 Vin 为1.8V,如果我们将 Vin 引脚连接到 BIAS 引脚  ,其最小值为1.7V,

有风险吗? 如果 电压以某种方式下降至1.7V、会发生什么情况

此致、

弗雷德

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    尊敬的 Fred:

    1.是的、较低的偏置电压会导致较低的功耗、尽管如果 LDO 为大负载电流供电、这种影响非常小。

    2.是的,如果您将 Vin 和 Vbias 连接到这些电压水平,会有风险,具体取决于您的输出电流和输出电压。  Vbias 的压降为1.1V、但是可高达1.3V。  但这是最大负载时(Iout = 1.5A)。  查看以下压降电压电平、并确定 Vin 是否= 1.7V - Vbias_dropout > Vout。  

    谢谢。

    斯蒂芬

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    尊敬的 Stephen:

    我的 Vout=0.75V、Iout=0.5A。

    您认为瓶颈是 Vin - Vbias_dropout > Vout。  

    但即使是我的 Vin 为1.8V、仍然无法通过该公式、即1.8-1.3<0.75。

    我想知道这个等式的背景是什么吗?

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    尊敬的 Fred:

    输入电压的压差很小、您的输入电压将大于满足以下条件:

    要设计低压降(LDO)稳压器、内部误差放大器的电源轨上必须有足够的电压来驱动通流器件。  该电压可能是内部电荷泵输出或 LDO 的偏置轨输入。  TPS7A74使用 BIAS 引脚方法。  通流器件显示为 NMOS 晶体管(请参阅第7.2节)、因此正是 Vgs 驱动您的压降电压。  因此、Vout + Vgs (内部 NMOS 导通 FET)< Vbias。  

    LDO 的 Vin 压降取决于导通 FET 上的压降。  此值等于 MOSFET 的 RDS (ON)乘以负载电流 Iout。  这就是输入电压压压差远小于偏置电压压压差的原因。

    谢谢。

    斯蒂芬

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    尊敬的 Stephen:

    我是否可以将  Vbias_dropout 视为内部 NMOS 的 Vgs?

    并取决于输出电流为1.1V 至1.3V。

    我应该是1.1V 的阈值电压(Vth)吗?

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    尊敬的 Fred:

    是的、这是正确的。 我之前提供的图6-33至6-36本质上是内部 NMOS 相对于负载电流的 Vgs。

    谢谢。

    斯蒂芬