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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1216482/bq76920-high-side-charging-fet
您好！
对于 BQ76920、充电和放电 FET 的驱动器为低侧。
对于 FET 充电、我们希望有高侧。 我们是否可以在高侧使用 PMOS 充电 FET、并在附图中使用由 BQ76920 CHG 引脚驱动的充电 FET？
放电 FET 仍处于低侧。
谢谢。
金
您好、Kim、
我想问一下、您为什么要执行此实施？ 在低侧也可以有单独的充电/放电路径。 尽管对于不同的器件、您可以使用 bq77905独立电流路径 请参阅应用手册中的示例。
现在、我们来谈谈您的问题。 则可以实现类似的操作。 但是、我不会使用 BJT 来执行此操作。 我建议改用 N 沟道 FET。 此外、以这种方式实现它可能会导致 FET 关断时出现一些问题。 因为关断主要由 Rgate -源极电阻决定。 您需要实施关断电路。 我在该较旧的 E2E 主题中提供了更详细的说明：
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1185634/bq77915-bq77915-high-side-use
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙
